[發明專利]基于未知材料基板的微波在片測試方法

有效

• 申請號: 200910032163.7
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101634672A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 李輝;陳效建;周建軍;陳辰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26;G01R27/02;G01R35/00
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司
• 代理人: 沈根水;葉立劍

1.基于未知材料基板的微波在片測試方法，其特征是該方法包括如下步驟：

一、在基板上采用集成電路薄膜工藝或厚膜工藝制備適合于微波在片測試的直通反射傳輸線法TRL校準件、開路諧振器及待測元件；

二、用矢量網絡分析儀的直通反射傳輸線法TRL全雙端口校準功能校準微波在片測試系統；

三、將開路諧振器連接至校準好的微波在片測試系統，在矢量網絡分析儀中讀出開路諧振器的散射參數、反射參數和傳輸參數，傳輸參數幅值的差分曲線的第一過零點就是開路諧振器的諧振點，這一點所在的頻率就是開路諧振器的諧振頻率；

四、根據測量所得的諧振頻率計算基板等效介電常數、傳輸線阻抗；

五、將待測元件連接至校準好的微波在片測試系統，在矢量網絡分析儀中讀出開路諧振器的散射參數，散射參數的參考阻抗即步驟四中得到的傳輸線阻抗；

六、采用散射參數阻抗變換的方法得到50Ω阻抗的標準散射參數。

2.根據權利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片測試方法，其特征是基板結構為：360um藍寶石+2um氮化鎵+0.15um鈦酸鍶鋇，藍寶石襯底介電常數為5.5，氮化鎵介電常數為9.0。

3.根據權利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片測試方法，其特征是在基板上采用集成電路薄膜工藝或厚膜工藝制備適合于微波在片測試的直通反射傳輸線法TRL校準件、開路諧振器及待測元件的圖形均采用CPW結構，其中線寬120um，縫隙25um，直通線長度為250um，兩根長線長度分別為2090um和3810um，開路線長度1630um。

4.根據權利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片測試方法，其特征是所述的傳輸參數幅值的差分曲線的第一過零點求得諧振頻率為18.3GHz。

5.根據權利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片測試方法，其特征是所述的在矢量網絡分析儀中讀出開路諧振器的散射參數，散射參數的參考阻抗為36.7Ω。