[發明專利]淺溝槽隔離結構的研磨裝置及方法

有效

• 申請號: 200910031729.4
• 申請日: 2009-06-20
• 公開（公告）號: CN101927453A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 李健;李勇;曾明
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B49/04;B24B49/12;B24B51/00;H01L21/304
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1.一種淺溝槽隔離結構的研磨裝置，包括研磨部分、監測部分及控制部分；所述研磨部分用于研磨形成于氮化硅層上的二氧化硅層；所述監測部分用于投射下行的監測光到研磨面上，并接收經研磨面反射的上行光，以生成相應于所述上行光的感應信號；其特征在于：所述控制部分用于根據所述感應信號進行預定的比較后確定所述研磨面是否到達所述氮化硅層與所述二氧化硅層的分界處，并生成相應的控制信號，以控制所述研磨部分的研磨。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的研磨裝置，其特征在于：所述控制部分包括信號接收模塊、比較模塊及輸出模塊；所述信號接收模塊用于接收所述感應信號并將所述感應信號送至所述比較模塊；所述比較模塊用于將所述感應信號與預定的反映光強度的閾值進行比較并生成相應的比較結果信號；所述輸出模塊用于根據所述比較結果信號生成相應的所述控制信號。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的研磨裝置，其特征在于：所述控制部分包括信號接收模塊、暫存模塊、比較模塊及輸出模塊；所述信號接收模塊用于接收所述感應信號并將所述感應信號送至所述暫存模塊與所述比較模塊；所述暫存模塊用于將所述感應信號暫存；所述比較模塊用于將所述感應信號與所述暫存模塊所暫存的前級感應信號進行比較并生成相應的比較結果信號；所述輸出模塊用于根據所述比較結果信號生成相應的所述控制信號。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的研磨裝置，其特征在于：所述控制部分包括信號接收模塊、計算模塊、比較模塊及輸出模塊；所述信號接收模塊用于接收所述感應信號并將所述感應信號送至所述計算模塊；所述計算模塊用于根據所述感應信號計算當前研磨面的反射率并送至所述比較模塊；所述比較模塊用于將所述反射率與預定的反映反射率的閾值進行比較并生成相應的比較結果信號；所述輸出模塊用于根據所述比較結果信號生成相應的所述控制信號。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的研磨裝置，其特征在于：所述控制部分包括信號接收模塊、計算模塊、暫存模塊、比較模塊及輸出模塊；所述信號接收模塊用于接收所述感應信號并將所述感應信號送至所述計算模塊；所述計算模塊用于根據所述感應信號計算當前研磨面的反射率并送至所述暫存模塊與所述比較模塊；所述暫存模塊用于將所述反射率暫存；所述比較模塊用于將所述反射率與所述暫存模塊所暫存的前級反射率進行比較并生成相應的比較結果信號；所述輸出模塊用于根據所述比較結果信號生成相應的所述控制信號。

6.一種淺溝槽隔離結構的研磨方法，包括：

研磨沉積于氮化硅層上的二氧化硅層；

投射下行的檢測光在研磨面上；

接收經反射的上行光；

生成與所述上行光相應的感應值；

根據所述感應值進行預定的比較，以確定當前研磨面是否到達所述氮化硅層與所述二氧化硅層的分界處；

根據比較結果確定是否繼續研磨。

7.如權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的研磨方法，其特征在于：所述預定的比較為將所述感應值與預定的反映光強度的閾值相比較。

8.如權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的研磨方法，其特征在于：所述預定的比較包括：

暫存當前的感應值；

將當前感應值與暫存的前級感應值進行比較，以確定所述兩級感應值的差值是否超過預定的閾值。

9.如權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的研磨方法，其特征在于：所述預定的比較包括：

根據所述感應值計算當前研磨面的反射率；

將所述反射率與預定的反映反射率的閾值比較。

10.如權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的研磨方法，其特征在于：所述預定的比較包括：

根據所述感應值計算當前研磨面的反射率；

暫存當前的反射率；

將當前反射率與暫存的前級反射率進行比較，以確定所述兩級反射率的差值是否超過預定的閾值。