[發明專利]化學氣相淀積材料生長設備的反應源進氣分配方法與裝置有效
| 申請號: | 200910030912.2 | 申請日: | 2009-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN101519772A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發明(設計)人: | 韓平;吳軍;王榮華;王琦;于樂;俞斐;趙紅;華雪梅;謝自力;修向前;張榮;鄭有炓 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 | 代理人: | 陳建和 |
| 地址: | 210093江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 氣相淀積 材料 生長 設備 反應 源進氣 分配 方法 裝置 | ||
【權利要求書】:
1.化學氣相淀積材料生長設備的反應源進氣分配的裝置,其特征是化學氣 相淀積材料生長設備的加熱裝置采用射頻感應加熱器,射頻感應加熱器的第一感 應件為石墨腔;石墨腔中的基座上放置襯底,石墨腔位于石英管內;分解溫度較 低的反應源氣體和分解溫度較高的反應源氣體分別通過石英管封口法蘭后經導 引細石英管導入石墨腔的進氣端附近;分解溫度較高的反應源氣體的導引細石英 管周圍配置石墨管以構成第二感應件。
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C23 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





