[發明專利]鍍通孔微蝕液

無效

• 申請號: 200910030626.6
• 申請日: 2009-04-17
• 公開（公告）號: CN101864570A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 楊雪林
• 申請（專利權）人: 江蘇蘇杭電子有限公司
• 主分類號: C23F1/16
• 分類號: C23F1/16
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

技術領域

本發明涉及微蝕工藝領域，特別是一種鍍通孔微蝕液。

背景技術

在印制電路板的生產過程中，孔壁鍍銅層的質量好壞影響產品的可靠性。如果孔壁鍍銅層在熱沖擊時發生斷裂，對PCB(電路板)的品質是一種致命的缺陷，對航空航天用多層印制板絕不允許發生此類故障。在PCB的生產過程中，PTH(鍍通孔)的微蝕工藝對孔壁鍍銅層的質量優劣起著舉足輕重的作用。因此，優化PTH微蝕工藝極其重要。常用的微蝕液有H₂SO₄-H₂O₂體系和H₂SO₄-(NH₄)₂S₂O₈體系，它們均有較明顯的缺點，前者需要穩定劑、潤濕劑，而且H₂O₂的分解和消耗較大，需要較高的分析頻率才能維持槽液的正常工作；后者也不很穩定，而且它微蝕銅的速率比較慢，一般為0.5um-0.6um/min，需要延長工藝時間才能達到要求。

發明內容

為了克服上述缺陷，本發明提供一種鍍通孔微蝕液，該微蝕液可有效解決微蝕穩定性和微蝕速率間的矛盾，既易于微蝕控制，又提高生產效率。

本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種鍍通孔微蝕液，按濃度計：微蝕液中包含有如下成份：

Na₂S₂O₈：70～90g/L；

H₂SO₄：27.6g/L；

CuSO₄：1～20g/L；

所述微蝕液的溶劑為去離子水。

所述微蝕液中Na₂S₂O₈的最佳濃度為80g/L。

所述微蝕液的使用溫度為30～35℃。

本發明的有益效果是：本發明采用H2_SO₄-Na₂S₂O₈體系微蝕液，使用時不產生分解，微蝕速率較大，可達到0.7um～0.9um/min，而且微蝕速率較穩定，控制較方便，有效解決了微蝕穩定性和微蝕速率間的矛盾，既易于微蝕控制，又提高生產效率。

具體實施方式

實施例：一種鍍通孔微蝕液，按濃度計：微蝕液中包含有如下成份：

Na₂S₂O₈：70～90g/L；

H₂SO₄：27.6g/L；

CuSO₄：1～20g/L；

所述微蝕液的溶劑為去離子水。

所述微蝕液中Na₂S₂O₈的最佳濃度為80g/L。

所述微蝕液的使用溫度為30～35℃。

本發明具體實施例的配方參見表1：

表1：(單位：濃度g/L)

在微蝕液溫度為35℃的條件下，測試該H₂SO₄-Na₂S₂O₈體微蝕液的蝕刻速率與溶液濃度的關系，測試結果如下表所示：

從上表可以看出，在35℃工作溫度下，Na₂S₂O₈濃度為70～90g/L，溶銅量為1～16g/L的情況下，蝕刻速率沒有發生大的變化，比較穩定。

H₂SO₄-Na₂S₂O₈體微蝕液可以提供較合適的微觀粗糙面，從而保證化學鍍銅層熱沖擊不出現斷裂現象。所鍍產品經業內288℃10秒鐘6循環的熱沖擊試驗，未發現有裂紋等缺陷產生，滿足了航空航天用印制板的要求。