[發(fā)明專利]基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910030341.2
• 申請日: 2009-03-19
• 公開（公告）號: CN101592777A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張瑞英;董建榮;楊輝
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號: G02B19/00
• 分類號: G02B19/00;G02B3/08;G02B1/10;H01L31/052;C23F1/14;C23F4/00
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司
• 代理人: 陳忠輝

1.基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟——

①首先加工聚光器；

②在聚光器的兩面沉積金屬膜；

③將沉積金屬膜的聚光器放入退火爐中，熱退火形成金屬球；

④在金屬球的掩膜下，經(jīng)干法刻蝕，使聚光器兩面形成亞波長結(jié)構(gòu)；

⑤采用金屬腐蝕液濕法刻蝕去除金屬球，獲得亞波長結(jié)構(gòu)的高效全光譜廣角透射的聚光器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：步驟①加工聚光器的材料采用玻璃、或石英、或聚合物；聚光器的類型為菲涅耳透鏡或者是球透鏡。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：步驟②所述聚光器的兩面為平面、或曲面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：步驟②在聚光器的兩面通過熱蒸發(fā)、或電子束沉積、或磁控濺射、或原子層沉積金屬膜，金屬膜為Ni膜、或Au膜、或Ti膜、或Al膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：步驟③形成的金屬球的形狀呈球形、或半球形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米結(jié)構(gòu)的全光譜廣角聚光器的制作方法，其特征在于：步驟④所述的干法刻蝕，具體是反應(yīng)離子刻蝕、或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕、或電子回旋共振刻蝕。