[發明專利]一種改良的非接觸式位移測量方法及使用該方法的傳感器無效
| 申請號: | 200910030263.6 | 申請日: | 2009-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN101509752A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發明(設計)人: | 王磊 | 申請(專利權)人: | 無錫市納微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01B7/02 | 分類號: | G01B7/02 |
| 代理公司: | 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) | 代理人: | 顧吉云 |
| 地址: | 214028*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改良 接觸 位移 測量方法 使用 方法 傳感器 | ||
(一)技術領域
本發明涉及測量位移的高精度位移傳感器技術領域,具體為一種改良的非接觸式位移測量方法,本發明還涉及使用該方法的傳感器。
(二)背景技術
現有測量位移的高精度位移傳感器,主要有三種:容柵、光柵和磁柵型位移傳感器,其各自都存在一定的缺陷:容柵型位移傳感器不能在潮濕的工作環境中使用,限制了它的應用范圍;光柵型位移傳感器容易受到粉塵和環境污染的影響,其應用范圍受到限制;磁柵型傳感器由于采用的磁柵尺很容易受到外界磁場的干擾,而且一旦被外界磁場磁化后便無法復原,導致產品的永久性損壞,且上述三種傳感器都采用模擬式測量方法,這使得其在工作中易受到環境噪音的干擾,且其在需要提高測量精度的情況下,其制造成本會大幅度提高。
(三)發明內容
針對上述問題,本發明提供了一種改良的非接觸式位移傳感器,其在工作過程中抗干擾性強,且其測量精度高,為此,本發明還提供了使用非接觸式位移測量方法的傳感器。
其技術方案是這樣的,
一種改良的非接觸式位移測量方法,其特征在于:基板上安裝有巨磁電阻元件陣列,所述巨磁電阻元件內通過脈沖電流,所述脈沖電流小于所述巨磁電阻元件自由層翻轉的臨界值,平行于所述基板的上方安裝有可移動的激光光源,所述激光光源發出激光光束,所述激光光束照射所述巨磁電阻元件,通脈沖電流的巨磁電阻元件受到激光光束照射其電阻發生變化,電阻的變化通過巨磁電阻元件外圍的電路顯示出來,從而確定發生電阻變化的巨磁電阻元件的位置信息,從而得出與激光光源位置相對應的所測對象的位移或長度。
使用該方法的非接觸式位移傳感器,其技術方案是這樣的:其包括基板、外圍電路,其特征在于:所述基板上安裝有均勻排布的巨磁電阻元件陣列,所述軌道結陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道,所述軌道上安裝有激光光源,所述基板連接外圍電路,所述巨磁電阻元件通過基板連接所述外圍線路。
其進一步特征在于:所述巨磁電阻元件具體為隧道結,所述軌道上安裝有滑塊,所述激光光源安裝于所述滑塊上,所述激光光源具體為波長較短的光源。
本發明的上述結構中,由于所述激光照射于所述巨磁電阻元件,進而通過巨磁電阻元件會在此種條件下發生電阻變化的特性,進而準確得到改變電阻的巨磁電阻元件的位置信息,從而得到待測對象的位移或長度,此在工作過程中,采用數字式原理,故其抗干擾能力強;其精度和分辨率取決于相鄰巨磁電阻元件的大小和相互之間的距離,由于巨磁電阻元件精密度高,可達到納米級,故其其測量精度高。
(四)附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖。
(五)具體實施方式
見圖1,本發明包括基板1、外圍電路(圖中沒有表達,其連接關系屬現有技術),基板1上安裝有均勻排布的巨磁電阻元件2陣列,巨磁電阻元件2具體為隧道結,隧道結2陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道3,軌道3上安裝滑塊4,基板1連接外圍電路,隧道結2通過基板1連接外圍線路。軌道3上安裝有滑塊4,激光5的光源安裝于滑塊4上,激光光源具體為波長較短的光源。
巨磁電阻元件2內通過脈沖電流,脈沖電流小于巨磁電阻元件2自由層翻轉的臨界值,激光5的光源發出激光光束,激光光束照射巨磁電阻元件2,通脈沖電流的巨磁電阻元件2受到激光光束照射其電阻發生變化,電阻的變化通過巨磁電阻元件2外圍的電路顯示出來,從而確定發生電阻變化的巨磁電阻元件2的位置信息,從而得出與激光光源位置相對應的所測對象的位移或長度。工作時,激光光源的光斑覆蓋或部分覆蓋一個巨磁電阻元件結時,不會同時覆蓋到另一個巨磁電阻元件。6為待測位移。
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