[發(fā)明專利]用于制造單晶鑄件的薄殼上浮方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910030214.2 | 申請日： | 2009-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN101537485A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙玉濤;馬德新;孫少純 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號： | B22D27/04 | 分類號： | B22D27/04;C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務(wù)所 | 代理人： | 汪旭東 |
| 地址： | 212013*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 鑄件 上浮 方法 及其 裝置 | ||
1.用于制造單晶鑄件的薄殼上浮裝置，包括陶瓷模殼(6)、高溫合金溶池(1)、浮動絕 熱保溫層(2)及水冷模塊(4)，浮動絕熱保溫層(2)位于高溫合金溶池(1)的上表面，水 冷模塊(4)位于浮動絕熱保溫層(2)的上面；陶瓷模殼(6)的頂端設(shè)有激冷塊(5)，陶瓷 模殼(6)下端澆口設(shè)有堵塞塊(3)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于制造單晶鑄件的薄殼上浮裝置，其特征在于：水冷模塊(4) 為銅合金制成的環(huán)形水冷裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的用于制造單晶鑄件的薄殼上浮裝置，其特征在于：浮動絕熱保溫 層(2)由陶瓷顆粒或液態(tài)爐渣組成，浮于高溫合金溶池(1)液態(tài)金屬表面。
4.如權(quán)利要求1所述的用于制造單晶鑄件的薄殼上浮裝置，其特征在于：激冷塊(5) 為水冷銅板。
5.如權(quán)利要求1所述的用于制造單晶鑄件的薄殼上浮裝置，其特征在于：堵塞塊(3) 和高溫合金溶池(1)中的高溫合金為同種材料。
6.使用如權(quán)利要求1所述裝置制造單晶鑄件的方法為：
(a)先將陶瓷模殼(6)的選晶器部分安裝于激冷塊(5)上，澆口朝下且用與高溫合金同 種爐料的堵塞塊(3)堵塞；(b)陶瓷模殼(6)下降，穿過浮動絕熱保溫層(2)進(jìn)入高溫合 金熔體，隨著堵塞塊(3)熔化，高溫合金熔體進(jìn)入陶瓷模殼(6)，在激冷塊(5)上形成激 冷層；(c)陶瓷模殼(6)以預(yù)定的速度緩慢上升，穿過浮動絕熱保溫層(2)到冷卻區(qū)，鑄件 從上至下冷卻，由激冷層開始向下定向凝固，經(jīng)選晶器形成單晶，并擴(kuò)展至整個鑄件。
7.如權(quán)利要求6所述的使用權(quán)利要求1所述裝置制造單晶鑄件的方法，其特征在于：在 制備過程中，使用氬氣吹冷。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇大學(xué)，未經(jīng)江蘇大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910030214.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
