[發(fā)明專利]冶金級(jí)多晶硅太陽能電池磷擴(kuò)散工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910029711.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101587918A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盛健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 冶金 多晶 太陽能電池 擴(kuò)散 工藝 | ||
1.一種冶金級(jí)多晶硅太陽能電池磷擴(kuò)散工藝，其特征是：首先在900℃-950℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行高溫晶界吸雜，利用該高溫使雜質(zhì)原子在原沉淀處釋放，同時(shí)擴(kuò)散并移動(dòng)至晶界缺陷處沉積，在晶界附近形成潔凈區(qū)；
其次在840-860℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行中低溫磷沉積，在該中低溫下短時(shí)間進(jìn)行淡磷擴(kuò)散沉積，時(shí)間為7-12分鐘，完成表面低濃度磷沉積，為下步長時(shí)間高溫驅(qū)入做準(zhǔn)備；
然后900-910℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行高溫深結(jié)晶界擴(kuò)散鈍化，在該高溫下長時(shí)間磷源驅(qū)入，時(shí)間為25-40分鐘，形成晶界處的深PN結(jié)，使磷在晶界面處會(huì)產(chǎn)生磷吸雜及磷漂移場鈍化；
最后再進(jìn)行擴(kuò)散，調(diào)整至所需要的方塊電阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冶金級(jí)多晶硅太陽能電池磷擴(kuò)散工藝，其特征是：所述工藝的具體步驟為，
a.將待處理冶金級(jí)多晶硅片在850℃-920℃氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)入擴(kuò)散爐管；
b.爐管升溫至900℃-950℃，并在此溫度的氮?dú)鈿夥障潞銣氐剡M(jìn)行晶界吸雜處理30-60分鐘；
c.降溫至840-860℃，進(jìn)行短時(shí)間7-12分鐘通三氯氧磷，源量根據(jù)不同設(shè)備為正常擴(kuò)散通源量的1/2-2/3，同時(shí)通氮量不低于15升/分鐘；
d.升溫至900-910℃，同時(shí)進(jìn)行25-40分鐘的磷源驅(qū)入，完成晶界處的深結(jié)，保證晶界處的晶界面鈍化；
e.降溫至865-885℃，進(jìn)行正常通源及驅(qū)入，確保擴(kuò)散方塊電阻范圍在30-40ohm/sq；
f.降溫或不降溫慢速出爐。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
