[發明專利]一種太陽能級硅錠切屑提純利用工藝無效
| 申請號： | 200910029606.7 | 申請日： | 2009-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN101519204A | 公開（公告）日： | 2009-09-02 |
| 發明（設計）人： | 曾華林;董志遠;沈厚發;陳鐵龍;倪屹;吳懿 | 申請（專利權）人： | 常州好懿光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213162江蘇省常州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 切屑 提純 利用 工藝 | ||
【權利要求書】：
1、一種太陽能級硅錠切屑提純利用工藝，其特征是具有如下工藝步驟：
a.物理提純和化學提純：對硅錠切屑料采用物理提純方法和化學提純方法，去除硅錠切屑料中的雜質，得到冶金級硅粉；
b.硅粉壓制成塊：利用壓機將冶金級硅粉壓成塊狀硅；
c.定向凝固方法提純：把塊狀硅放入多晶硅定向凝固爐的石英坩堝中進行定向凝固，在1500~1600℃溫度，利用雜質的分凝效應進行提純；對B、P含量高的塊狀硅原料，采用氧化性氣體及造渣劑進行精煉；凝固后得達到制備太陽能級電池的要求的多晶硅鑄錠。
2.根據權利要求1所述的太陽能級硅錠切屑提純利用工藝，其特征是：所述的物理提純方法是采用磁選和重力分離方法去除硅錠切屑料中的雜質SiC和Fe。
3.根據權利要求1所述的太陽能級硅錠切屑提純利用工藝，其特征是：所述的化學提純方法是采用酸洗的方法去除硅錠切屑料中的雜質SiC和Fe。
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