[發(fā)明專利]一種高集成度電池保護(hù)電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910028495.8
• 申請(qǐng)日: 2009-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN101483335A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚健;劉繼山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽芯微電子（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H02H7/18
• 分類號(hào): H02H7/18;H02H3/08;H02H9/00
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司
• 代理人: 趙 楓

1.一種高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：包括一端接電池，一端接負(fù)載或充電器的主開關(guān)管；根據(jù)電池的充電或放電異常來發(fā)出斷開主開關(guān)管信號(hào)的主開關(guān)管柵極控制電路；具有隨著主開關(guān)管狀態(tài)自動(dòng)切換主開關(guān)管襯底電壓的主開關(guān)管襯底控制電路；用來減少電源變動(dòng)以及充電器反連接對(duì)電池的損壞的變動(dòng)對(duì)策電路；保證高集成度電池保護(hù)電路在初始接電池時(shí)進(jìn)入正確的檢測(cè)狀態(tài)的狀態(tài)初始化電路；根據(jù)不同電池需求實(shí)現(xiàn)0V電池充電或0V電池充電禁止的段位變換電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述主開關(guān)管是一個(gè)隔離型NMOS管，其襯底與整個(gè)半導(dǎo)體芯片襯底隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述主開關(guān)管是一個(gè)隔離型PMOS管，其襯底與整個(gè)半導(dǎo)體襯底隔離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述主開關(guān)管、主開關(guān)管柵極控制電路、主開關(guān)管襯底控制電路、電源變動(dòng)對(duì)策電路、狀態(tài)初始化電路及段位變換電路均設(shè)置在同一半導(dǎo)體襯底上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述主開關(guān)管柵極控制電路包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路、過充電檢測(cè)電路、過放電檢測(cè)電路、過電流檢測(cè)電路、內(nèi)置延遲時(shí)間設(shè)置電路、短路檢測(cè)電路、充電器檢測(cè)電路、電平移動(dòng)電路和溫度保護(hù)電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述主開關(guān)管襯底控制電路具有最低電壓判斷電路、異常狀態(tài)判斷電路、襯底切換開關(guān)電路和電平移動(dòng)電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述變動(dòng)對(duì)策電路具有連接在所述高集成度電池保護(hù)電路外部電壓輸入源和所述高集成度電池保護(hù)電路內(nèi)部供電電壓端的濾波電路，還具有連接在負(fù)電壓端子和所述高集成度電池保護(hù)電路內(nèi)部負(fù)電壓檢測(cè)端的充電器反接保護(hù)電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述狀態(tài)初始化電路具有在高集成度電池保護(hù)電路初始上電時(shí)讓所述高集成度電池保護(hù)電路進(jìn)入正常的工作狀態(tài)的上電復(fù)位電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述段位變換電路具有可通過可熔斷保險(xiǎn)絲編程的0伏電池電壓比較電路。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高集成度電池保護(hù)電路，其特征在于：所述充電器檢測(cè)電路具有將負(fù)電壓端子的負(fù)電壓抬升為正電壓，實(shí)現(xiàn)正電壓間的比較的電壓抬升電路。