[發明專利]InN、GaN及AIN低維納米結構材料的合成方法

無效

• 申請號: 200910028440.7
• 申請日: 2009-01-20
• 公開（公告）號: CN101477950A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 耿秀梅;劉海濱;程國勝
• 申請（專利權）人: 蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L21/208
• 分類號: H01L21/208;C23C18/00
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司
• 代理人: 陳忠輝

1.InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：在離子液體中，加入氮源及相應的銦源、鎵源、鋁源，在溫度180～400℃下反應10h以上，過濾，有機溶劑洗滌、干燥，相應的獲得InN、GaN、AlN低維納米結構材料。

2.根據權利要求1所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述離子液體采用甲基丁基咪唑氯、或甲基丁基咪唑四氟硼酸鹽、或甲基丁基咪唑六氟膦酸鹽、或咪唑類離子液體、或吡啶類離子液體。

3.根據權利要求2所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述咪唑類離子液體為甲基丁基咪唑氯、或甲基丁基咪唑四氟硼酸鹽、或甲基丁基咪唑六氟膦酸鹽。

4.根據權利要求2所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述吡啶類離子液體為N-丁基吡啶四氟硼酸鹽、或乙基吡啶溴。

5.根據權利要求1所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述氮源采用1，1，1，3，3，3-六甲基二硅氮烷、或氮化鋰、或九甲基三硅胺。

6.根據權利要求1所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述銦源采用醋酸銦、或乙二胺四乙酸銦絡合物、或氯化銦。

7.根據權利要求1所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述鎵源為乙酰丙酮鎵、或氯化鎵、或醋酸鎵。

8.根據權利要求1所述的InN、GaN及AlN低維納米結構材料的合成方法，其特征在于：所述鋁源為醋酸鋁、或氯化鋁、或鋁粉。