[發明專利]晶體硅太陽能電池片光致衰減特性的改善方法及專用裝置

有效

• 申請號: 200910028129.2
• 申請日: 2009-01-09
• 公開（公告）號: CN101478017A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 董仲;張彩霞;倪志春;王艾華;趙建華
• 申請（專利權）人: 中電電氣（南京）光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/324;H01L21/268
• 代理公司: 南京知識律師事務所
• 代理人: 程化銘

1.一種晶體硅太陽能電池片光致衰減特性的改善方法，其工藝步驟為：

A、將晶體硅太陽能電池片在200℃溫度下進行10分鐘退火處理；

B、對晶體硅太陽能電池片加熱光照，即：對晶體硅太陽能電池片加熱并同 時對晶體硅太陽能電池片在強光下照射；所述強光是：晶體硅太陽電池能吸收 的所有光波波段的光；光強大于等于10⁴lux；所述的對晶體硅太陽能電池片加 熱，加熱溫度為50℃；所述的加熱光照，其時間等于4小時。