[發(fā)明專利]一種寬帶多目標(biāo)低噪聲放大器的實(shí)現(xiàn)方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910027865.6
• 申請(qǐng)日: 2009-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN101567670A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧菜鈞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京賽格微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/60
• 分類號(hào): H03F3/60;H03F1/26;H03F1/02
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 徐冬濤

1、一種寬帶多目標(biāo)低噪聲放大器的實(shí)現(xiàn)方法，包括選擇合適的器件及工作狀態(tài)、測(cè)量器件的S參數(shù)以及設(shè)計(jì)直流偏置電路和輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)；

其特征是所述選擇合適的器件及工作狀態(tài)包括以下步驟：

根據(jù)對(duì)增益和噪聲的要求，選擇相匹配的砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

根據(jù)最小噪聲系數(shù)來選取第一級(jí)的工作電流，并

根據(jù)最佳增益條件并兼顧噪聲來選取第二級(jí)的工作電流，用于提高低噪聲放大器的1dB輸出功率；

所述測(cè)量器件的S參數(shù)包括以下步驟：

判斷穩(wěn)定性二端口網(wǎng)絡(luò)絕對(duì)穩(wěn)定性，若同時(shí)滿足以下三個(gè)條件：

(1)|S₁₁|²＞|S₁₂S₂₁|

(2)|S₂₂|²＞|S₁₂S₂₁|

(3),KS-1|S11|2|S22|2+|DS|22|S12S21|>1]]>

式中，S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂、D_S是砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的S參數(shù)：

D_S＝S₁₁S₂₂-S₁₂S₂₁，K_S為穩(wěn)定因子，

則二端口網(wǎng)絡(luò)具有絕對(duì)穩(wěn)定性；

若不同時(shí)滿足上述三個(gè)條件時(shí)，則

在器件能夠獲得增益的所有頻段上進(jìn)行穩(wěn)定性分析，以及

估計(jì)潛在不穩(wěn)定區(qū)，以避免可能產(chǎn)生問題的源和負(fù)載阻抗；

所述設(shè)計(jì)直流偏置電路和輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括以下步驟：

采用扼流網(wǎng)絡(luò)在靠近射頻部分提供去耦結(jié)構(gòu)、在靠近電源部分提供低頻阻抗的結(jié)構(gòu)：

采用一條1/4波長傳輸線和一個(gè)分布的扇形電容構(gòu)成低頻阻抗，并通過改變傳輸線的長度或電容的面積來改善性能；

根據(jù)所選取的砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管前產(chǎn)生的損耗對(duì)放大器的噪聲系數(shù)的影響，使用高性能低損耗的基片以減小損耗；

調(diào)整整個(gè)寬帶的范圍中增益、幅平、噪聲系數(shù)、輸入輸出駐波比各項(xiàng)指標(biāo)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述測(cè)量器件的S參數(shù)還包括以下步驟：

在源極與地之間加入電感，即源極反饋，用于引起串聯(lián)反饋，源極反饋為一段短傳輸線。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是所述設(shè)計(jì)直流偏置電路和輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)還包括以下步驟：

選取輸入匹配的電路拓樸結(jié)構(gòu)，避免非常細(xì)的輸入線。