[發明專利]柔性凸墊芯片封裝凸塊結構

無效

• 申請號: 200910027622.2
• 申請日: 2009-05-14
• 公開（公告）號: CN101609823A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: 陳棟;張黎;賴志明;陳錦輝;曹凱
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所
• 代理人: 唐紉蘭

1、一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述結構包括芯片本體(1)、芯片電極(2)、芯片表面保護層(3)、柔性凸墊(4)、過渡層(5)以及焊球(6)，所述芯片電極(2)嵌置于芯片本體(1)上，芯片表面保護層(3)復合在芯片本體(1)表面以及芯片電極(2)表面外周邊，而芯片電極(2)表面的中間部分露出芯片表面保護層(3)，所述柔性凸墊(4)設置于所述芯片電極(2)表面的中間部分以及與所述芯片電極(2)表面的中間部分接合位置處的芯片表面保護層(3)表面，所述過渡層(5)復合于柔性凸墊(4)上，所述焊球(6)向上凸出設置于過渡層(5)上。

2、根據權利要求1所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述過渡層(5)全部或部分包覆于柔性凸墊(4)表面。

3、根據權利要求1或2所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述焊球(6)全部或部分包覆于過渡層(5)表面。

4、根據權利要求1、2或3所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述柔性凸墊(4)為導電高分子材料或者以高分子材料為基體的導電復合材料。

5、根據權利要求1、2或3所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述柔性凸墊(4)厚度在1μm～200μm。

6、根據權利要求1、2或3所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述過渡層(5)為單層或者多層金屬材料。

7、根據權利要求1、2或3所述的一種柔性凸墊芯片封裝凸塊結構，其特征在于所述過渡層(5)厚度在0.01μm～100μm。