[發明專利]具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電器件

有效

• 申請號: 200910027433.5
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101645441A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 蔡勇
• 申請（專利權）人: 蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01S3/23;H01L23/62;H01L23/48
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司
• 代理人: 陳忠輝

1.具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電器件，其中，所述光電 器件的芯片有源區被分隔成至少2個單胞，每個單胞的陽極引線、陰極引線與 對應極性的總引出電極相連，每個單胞與總引出電極之間的電極引線中串接有 至少一個可熔斷電阻，使得當所述至少2個單胞中的一個或多個單胞發生短路 時，與所述一個或多個單胞相串接的可熔斷電阻因電流熱效應引起的溫度升高 達到并超過自身熔點而產生熔斷，造成所述一個或多個單胞與所述總引出電極 之間的電學隔離，以避免與所述一個或多個單胞對應的短路點擴展蔓延到所述 光電器件的芯片有源區的除所述一個或多個單胞之外的其他單胞。

2.根據權利要求1所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電 器件，其特征在于：所述可熔斷電阻貼覆于光電器件的芯片表面，串接了至少 一個可熔斷電阻的各個單胞通過芯片內部互聯結構與總引出電極連接。

3.根據權利要求1所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電 器件，其特征在于：所述可熔斷電阻以橋接形式全部或部分懸浮在芯片表面， 串接了至少一個可熔斷電阻的各個單胞通過芯片內部互聯結構與總引出電極連 接。

4.根據權利要求1所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電 器件，其特征在于：所述光電器件還包含轉移基片，光電器件通過倒裝焊形式 與轉移基片結合，所述可熔斷電阻位于轉移基片，各個單胞與至少一個可熔斷 電阻串接后通過轉移基片的電極引線與芯片上的總引出電極連接。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的具單胞失效自防護功能的多胞連 接大功率光電器件，其特征在于：所述每個單胞的陽極引線或陰極引線中串接 至少一個可熔斷電阻；或者每個單胞的陽極引線和陰極引線中均串接至少一個 可熔斷電阻。

6.根據權利要求1所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電 器件，其特征在于：所述至少2個單胞相互之間的連接方式為并聯或“并串 聯”，其中“并串聯”是指部分單胞先并聯成組，然后再與其它單胞或“單胞 組”串聯。

7.根據權利要求1或6所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率 光電器件，其特征在于：所述單胞是指具有光電轉換功能的微尺寸單元，單胞 的平面幾何形狀為規則形狀或非規則形狀；單胞的排列方式為陣列式排列或非 規則排列。

8.根據權利要求1所述的具單胞失效自防護功能的多胞連接大功率光電 器件，其特征在于：所述大功率光電器件指的是功率為1瓦以上的發光二極管 或固態激光器。