[發(fā)明專利]酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910026145.8 | 申請日： | 2009-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN101515611A | 公開（公告）日： | 2009-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 酸堿 結(jié)合 太陽電池 工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝，其特征在于：具有以下兩個步驟：
a、酸制絨：硅片表面用HF和HNO3的混合酸進行淺制絨；
b、堿制絨：淺制絨的硅片進行清洗后，使用氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液進行深制絨。
2、如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝，其特征在于：所述的步驟a酸制絨中HF和HNO3的混合溶液中，HF和HNO3的混合比例為1∶1～1∶3。
3、如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝，其特征在于：所述的步驟a酸制絨中制成的淺制絨的硅片的腐蝕深度為1～3微米。
4、如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝，其特征在于：所述的步驟b堿制絨中氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液的百分比濃度為1％～5％。
5、如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽電池制絨工藝，其特征在于：所述的步驟b堿制絨中制成的制絨硅片的腐蝕深度為4～10微米。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
