[發(fā)明專利]低濃度硅氧烷氣體的凈化方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910025512.2 | 申請日： | 2009-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN101502738A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳澤智;龔惠娟;吳未立;姜茹;程洋;王慧 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京大學(xué) |
| 主分類號： | B01D53/04 | 分類號： | B01D53/04 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 夏 平;瞿網(wǎng)蘭 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濃度 硅氧烷 氣體 凈化 方法 裝置 | ||
1.一種低濃度硅氧烷氣體的凈化方法，其特征是：
首先，將需要凈化的含有一類硅氧烷的垃圾填埋氣、沼氣或消化氣加壓到-0.1～1MPa，并控制氣體溫度在-20～60℃之間；
其次，將符合條件的待凈化氣體送入串聯(lián)的填充有煤質(zhì)活性炭吸附劑兩級吸附罐中的第一級吸附罐中，以脫除低硅原子數(shù)的硅氧烷氣體；
第三，使經(jīng)第一級吸附罐脫除了低硅原子數(shù)的硅氧烷氣體進(jìn)入第二級吸附罐中，以脫除高硅原子數(shù)的硅氧烷氣體，得到合格的凈化氣體輸出供后續(xù)工藝使用；
所述的第一和第二級吸附罐中的煤質(zhì)活性炭吸附劑的粒徑為1mm～5mm，第一級吸附罐中的煤質(zhì)活性炭吸附劑的孔徑為1nm～10nm，第二級吸附罐中的煤質(zhì)活性炭吸附劑的孔徑為20nm～50nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度硅氧烷氣體的凈化方法，其特征是所述的第一級和第二級吸附罐飽和后采用蒸汽再生法對其中的煤質(zhì)活性炭吸附劑進(jìn)行處理以提高吸附能力，再生蒸汽溫度在120℃到250℃之間，再生蒸汽逆向吹掃，即再生蒸汽的流向與被處理氣體的流動方向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度硅氧烷氣體的凈化方法，其特征是所述的第一級和第二級吸附罐飽和后采用改性處理方法對吸附罐內(nèi)填充的煤質(zhì)活性炭吸附劑進(jìn)行處理以提高其活性，改性方法是用0.1N-0.5N濃度的硝酸、鹽酸、硼酸、草酸或其組合液進(jìn)行浸漬，在180℃-250℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行加熱處理，加熱時(shí)間在8h-16h之間，烘干后用去離子水洗滌。
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