[發明專利]可編程半導體抗浪涌保護器件、制作工藝及版圖

無效

• 申請號: 200910025023.7
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101540323A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 孫志斌;歐新華;楊兆國;仇利民;林杰仁
• 申請（專利權）人: 蘇州晶訊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/102
• 分類號: H01L27/102;H01L21/8222;H01L23/62;H01L23/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種可編程半導體抗浪涌保護器件，用于保護用戶線接口電路板的浪涌保護，其特征在于，包括：

K1端口，包括K1第一引腳和K1第二引腳；

K2端口，包括K2第一引腳和K2第二引腳；

G端口；

A端口，包括A第一引腳和A第二引腳；

第一二極管，包括正極和負極，該正極連接至K1第一引腳；

第一晶閘管，包括柵極、第一主電極和第二主電極，該第一晶閘管并連至所述第一二極管，該第一主電極連接至第一二極管的負極后連接至A第一引腳，該第二電極連接至第一二極管的正極，該第二電極連接K1第二引腳；

第二二極管；包括正極和負極，該正極連接至K2第一引腳；

第二晶閘管，包括柵極、第一主電極和第二主電極，該第二晶閘管并連至所述第二二極管，該第一主電極連接至第二二極管的負極后連接至A第二引腳，該第二電極連接至第二二極管的正極，該第二電極連接K2第二引腳，該第二晶閘管的柵極連接至第一晶閘管的柵極后連接至該柵極端口。

2、如權利要求1所述的可編程半導體抗浪涌保護器件，其特征在于，G端口接外加電壓。

3、如權利要求2所述的可編程半導體抗浪涌保護器件，其特征在于，所述外加電壓的范圍為[-220V，-10V]。

4、如權利要求1所述的可編程半導體抗浪涌保護器件，其特征在于，K1第一引腳連接TIP線，K2第一引腳連接RING線，K1第二引腳和K2第二引腳分別連接SLIC板的輸入端。

5、一種可編程半導體抗浪涌保護器件的制作工藝，其特征在于，包括：

三極管基區光刻，硼注入后，正面形成兩個三極管基區；

可控硅磷調制區擴散窗口光刻，正面形成兩個可控硅調控區；

正面硼擴，形成可控硅硼基區、三極管濃硼區、二極管硼擴散；

正面磷擴，正面可控硅陰極、三極管發射區磷擴散窗口光刻；

背面三極管、二極管N+區磷擴散窗口光刻；

背面硼擴反刻，背面形成兩個可控硅陰極區，二極管硼隔離區；

正面光刻引線孔。

6、一種可編程半導體抗浪涌保護器件的版圖設計，其特征在于，包括兩個三極管、兩個可控硅和兩個二極管。每個三極管包括：背面的三極管N+區，正面的三極管基區、其每個三極管基區內還設置有P+區及N發射區，每個可控硅包括：背面的P+區，正面的P+區，并在P+區內設置有N區，每個二極管區包括：背面的N+區，正面的P+區。