[發明專利]鍺納米點/硅納米線陣列結構薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 200910024599.1 | 申請日： | 2009-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN101486439A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發明（設計）人： | 葉敏華;施毅;濮林;徐子敬;張榮;鄭有炓 | 申請（專利權）人： | 施毅 |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京眾聯專利代理有限公司 | 代理人： | 周新亞 |
| 地址： | 210093江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 陣列 結構 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鍺納米點/硅納米線陣列結構薄膜的制備方法，該薄膜包括硅納米線陣列和鍺納米點，所述鍺納米點分布在硅納米線陣列的硅納米線上，其特征在于先在單晶P型硅片或N型硅片或多晶硅片上利用刻蝕的方法制備大面積的硅納米線陣列薄膜，再利用低壓化學氣相沉積設備在低壓條件下以硅納米線陣列為襯底，以鍺烷為氣源沉積生長鍺納米點，其中，所述低壓化學氣相沉積設備的反應室的壓強控制在2.4～10帕，沉積溫度為480～620℃，沉積生長時間選為30～600秒。
2.如權利要求1所述的鍺納米點/硅納米線陣列結構薄膜的制備方法，其特征在于所述硅納米線陣列襯底上沉積的鍺納米點排列在硅納米線上，沉積生長時，在鍺納米點上進行摻雜。
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