[發明專利]用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法

無效

• 申請號: 200910024477.2
• 申請日: 2009-02-23
• 公開（公告）號: CN101488455A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 孫小衛;王保平;雷威;張曉兵
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L27/12
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1、一種用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法，其特征是該制備方法為：

1.)準備一塊制作平板顯示器件的透明基板(1)，

2.)采用磁控濺射、或電弧成膜、或超聲噴霧成膜的方法在透明基板(1)上制備氧化鋅透明導電薄膜(2)，

3.)向氧化鋅透明導電薄膜(2)摻入鎵、鋁或者錫雜質，提高氧化鋅薄膜的電導率，使其方塊電阻小于50Ω/□，

4.)控制薄膜生長參數以及摻雜形成薄膜的晶格缺陷，獲得非晶的氧化鋅薄膜，以提高薄膜的平整度。

2.根據權利要求1所述的用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法，其特征是采用磁控濺射方法制備氧化鋅透明導電薄膜(2)，所需控制的薄膜生長參數為：襯底溫度為室溫至200℃，鍍膜室壓力為1至50mTorr，以及氧氣和氬氣比例為0.05％至5％。

3.根據權利要求1所述的用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法，其特征是采用電弧成膜法制備氧化鋅薄膜，所需控制的薄膜生長參數為：襯底溫度為室溫，鍍膜室壓力為0.01至1mTorr，氧氣流速為1至100sccm，以及電弧電流為50至200A。

4.根據權利要求1所述的用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法，其特征是采用超聲噴霧方法制備氧化鋅薄膜，所需控制的薄膜生長參數為：襯底溫度為小于400℃，運載氣體流速為1至100ml/min，鋅和雜質為鋁、鎵水溶液。

5.根據權利要求1所述的用于平板顯示器件的氧化鋅透明電極的制備方法，其特征是氧化鋅透明導電薄膜(2)的厚度在10nm至200nm。