[發明專利]表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制備方法

無效

• 申請號: 200910024145.4
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN101691301A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 殷小瑋;張立同;李向明;成來飛
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C04B35/584
• 分類號: C04B35/584;C04B38/00;C04B35/622;C04B41/85
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 黃毅新

1.一種表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(a)將55～80重量份的Si₃N₄粉、5～10重量份的Lu₂O₃粉與5～35重量份的酚醛樹脂混合，然后按每100克混合料加入200～300毫升的無水乙醇和15～25顆直徑8～12毫米的氧化鋁球，球磨15～20小時，80～100℃烘干8～10小時，制備出Si₃N₄、Lu₂O₃和酚醛樹脂的均勻混合粉料；將混合粉料破碎后，過40～60目篩，在80～100MPa壓力下模壓制成坯體；

(b)將坯體放入高溫管式爐中在空氣氣氛中升溫至750～850℃，保溫5～8小時進行氧化除碳；

(c)將氧化除碳后的坯體放入高溫燒結爐中，采用0.3～0.5MPa氮氣保護，在1750～1850℃保溫2～4小時進行無壓燒結，制備出多孔Si₃N₄陶瓷；

(d)將多孔Si₃N₄陶瓷放入Si₃N₄化學氣相沉積爐中沉積Si₃N₄，沉積溫度為950～1050℃，沉積時間為40～80小時。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述Si₃N₄粉的平均直徑是0.6～1.5微米。