[發明專利]一種磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法

無效

• 申請號: 200910024117.2
• 申請日: 2009-09-28
• 公開（公告）號: CN101660131A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 馬勝利;王利
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 朱海臨

1.一種磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法，其特征在于，包括下列步驟：

1)將基體預處理后放入磁控濺射鍍膜設備真空室中的轉架桿上，該轉架桿隨轉架臺轉動，同時自轉，保證鍍膜過程的均勻性；

2)以平面Si靶作為相應元素的來源，平面Si靶以對靶的方式安置在爐體內壁上；

3)將真空室的氣壓抽至10^-4～10^-3Pa，加熱基體，使基體溫度為200～250℃；

4)真空室通入Ar氣并開負偏壓對真空室和基體進行轟擊清洗；

5)關閉Ar氣，將真空室的氣壓再次抽至10^-4～10^-3Pa，接著同時通入Ar氣和H₂氣，使H₂氣的體積百分比為10％～80％，當真空室氣壓上升至0.3～0.5Pa時，調整負偏壓到-100V，打開Si靶的控制電源，將Si靶的電源功率調至2～4kW，沉積時間為60～120min，得到氫化硅薄膜。

2.如權利要求1所述的磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法，其特征在于，所述基體包括單晶Si片、石英玻璃片或普通玻璃片。

3.如權利要求2所述的磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟5)結束后，將沉積有氫化硅薄膜的單晶硅片在真空爐內550～950℃退火，退火時間為60～120min。

4.如權利要求1所述的磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟4)中，通入Ar氣的流量為16～24sccm，當真空室氣壓達到4～8Pa，保持該氣壓，開負偏壓至-800V～-1000V，對真空室和基體進行轟擊清洗，持續20～40min。

5.如權利要求1所述的磁控濺射制備氫化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟5)中，同時通入Ar氣和H₂氣，使H₂氣的體積百分比為20％～60％。