[發明專利]c-取向排列ZnO: Al薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 200910023727.0 | 申請日: | 2009-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN101650990A | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發明(設計)人: | 賀海燕;曹麗云;黃劍鋒;吳建鵬;于慧陽 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H01B5/14;B05D7/24;B05D1/38;B05D3/02 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 | 代理人: | 徐文權 |
| 地址: | 710021陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 取向 排列 zno al 薄膜 制備 方法 | ||
1、一種c-取向排列ZnO:Al薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)先驅體溶液的配制:按Zn0.99Al0.01O化學式將硝酸鋅或乙酸鋅與硝酸鋁、乙酸鋁或氯化鋁溶入冰乙酸中,然后再加入乙二醇和三乙醇胺,溶液中的金屬離子摩爾比為:乙二醇∶三乙醇胺=1∶2∶5-10,再用冰乙酸調節溶液中鋅離子的濃度至0.01mol/l,用質量濃度為35%-37%的鹽酸調節溶液的pH<5得到先驅體溶液;
2)涂膜:采用浸涂或旋涂工藝將先驅體溶液涂敷在基片上,每次涂敷后將其在120℃干燥,反復上述的涂敷和干燥過程直至得到要求厚度的薄膜;
3)退火:將涂膜后的基片自室溫以大于200℃/min的升溫速率升溫至650-750℃退火60min或直接將涂膜后的基片放入650-750℃的高溫爐中退火60min后自然冷卻得到c-取向排列ZnO:Al薄膜。
2、根據權利要求1所述的c-取向排列ZnO:Al薄膜的制備方法,其特征在于:為了降低先驅體溶液的粘度,將先驅體溶液在60-80℃凝膠化30-60min。
3、根據權利要求1所述的c-取向排列ZnO:Al薄膜的制備方法,其特征在于:所說的基片采用石英玻璃基片,涂膜前用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗15-30min,風干。
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