[發(fā)明專利]一種納米棒結(jié)構(gòu)Bi2S3光學(xué)薄膜的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910023494.4 | 申請日： | 2009-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN101638803A | 公開（公告）日： | 2010-02-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃劍鋒;王艷;曹麗云;朱輝;吳建鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號： | C25D9/08 | 分類號： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 徐文權(quán) |
| 地址： | 710021陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 結(jié)構(gòu) bi sub 光學(xué)薄膜 制備 方法 | ||
1.一種納米棒結(jié)構(gòu)Bi2S3光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于：
1)首先將分析純的Bi(NO3)3·5H2O加入蒸餾水中，并將其置于超聲波發(fā)生器中超聲分散，配制成Bi3+濃度為0.01mol/L～0.5mol/L的透明溶液，所得溶液記為A；
2)然后，向A溶液中加入分析純的Na2S2O3和檸檬酸三鈉，使得混合溶液中[Bi3+]∶[S2O32-]∶[C6H5O73-]＝1∶4～7∶1的摩爾比，攪拌下調(diào)節(jié)pH值為4.3～6.5，形成前驅(qū)物溶液，所得溶液記為B；
3)將B溶液置于電沉積裝置中，將ITO玻璃基板在乙醇中超聲清洗作為陰極，采用石墨為陽極，用陰極恒電壓沉積的方式在ITO玻璃基板上制備Bi2S3薄膜；沉積電壓為0.5～10V，沉積時間為10～30min，沉積結(jié)束后將所制備的薄膜在空氣中自然晾干，得到薄膜記為C；
4)將如上所制備的薄膜C浸入溶液B中并放入XP1500型微波消解罐，然后將微波消解罐密封并放入微波消解儀中，按微波消解儀的最高溫度控制模式升溫到90℃～200℃水熱處理5min～180min；反應(yīng)結(jié)束后，將罐冷卻到室溫，薄膜取出自然晾干，即得納米棒結(jié)構(gòu)Bi2S3光學(xué)薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米棒結(jié)構(gòu)Bi2S3光學(xué)薄膜的制備方法，其特征在于：所說的微波消解儀采用MDS-6型微波消解儀。
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