[發明專利]碳/碳化硅復合材料內部缺陷厚度測量方法

有效

• 申請號: 200910022596.4
• 申請日: 2009-05-19
• 公開（公告）號: CN101556147A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 梅輝;成來飛;鄧曉東;張立同;王東;趙東林;陳曦
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: G01B15/02
• 分類號: G01B15/02;G01N1/28
• 代理公司: 西北工業大學專利中心
• 代理人: 黃毅新

1.一種碳/碳化硅復合材料內部缺陷厚度測量方法，其特征在于包括下述步驟：

(a)設計厚度梯度變化的缺陷材料標樣，利用X射線照相檢測標樣，得到標樣的X射線照相底片；

(b)采用照相底片掃描儀將底片掃描成電子圖片得到其灰度圖像，采用圖像處理軟件在灰度圖像上截取出各缺陷區域，求出其平均灰度值，并計算出各缺陷區域灰度與無缺陷區域灰度的比值；

(c)根據各缺陷灰度與無缺陷區域灰度的比值，結合設計標樣各缺陷的厚度，按照

g′g=eμGΔd1+n]]>

或者

g′g=e(μ-μ′)GΔd1+n]]>

建立缺陷厚度與對應灰度比值的標定函數；

式中，μ表示材料的射線線衰減系數，μ′表示缺陷的射線線衰減系數，G表示底片梯度，Δd表示缺陷厚度，即缺陷沿射線照射方向的厚度，n表示散射比；

(d)在曝光量、焦距、底片相同檢測條件下用X射線照相檢測含缺陷的同種材料，得到檢測底片，采用步驟(b)、(c)獲得同種含缺陷材料的檢測底片掃描電子圖像，識別并截取缺陷區域信息，獲得缺陷的相應灰度比值；

(e)將灰度比值代入到標定函數

y＝e^kx

中，得到碳/碳化硅復合材料內部缺陷的厚度；式中k為擬合系數，y表示缺陷區域與無缺陷區域灰度的比值即步驟(c)中的g′/g；x表示缺陷厚度即步驟(c)中的Δd。