[發(fā)明專利]表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910022564.4
• 申請(qǐng)日: 2009-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN101556889A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王莉;丁玉成;陳邦道;樊帆;田洪淼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號(hào): H01J9/02
• 分類號(hào): H01J9/02
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 惠文軒

1.一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)采用低壓化學(xué)氣相淀積工藝，在單晶硅片上淀積氮化硅層，再在氮化硅層上涂敷光刻膠層；

(2)制作柵條形掩膜版，并以柵條形掩膜版為掩護(hù)，刻蝕光刻膠層，得到光刻膠柵條；再以光刻膠柵條為掩護(hù)，濕法刻蝕氮化硅層，得到氮化硅柵條；繼續(xù)濕法刻蝕單晶硅片，形成U型單晶硅槽，然后化學(xué)去除氮化硅柵條上的光刻膠柵條；

(3)高溫氧化U型單晶硅槽，形成U型氧化硅槽；再濕法刻蝕掉氮化硅柵條，以U型氧化硅槽為掩護(hù)，濕法刻蝕單晶硅片，凸出U型氧化硅槽的兩側(cè)壁，得到氧化硅納米線；再次高溫氧化單晶硅片；

(4)在氧化硅納米線上制作“L”形的電子發(fā)射薄膜陣列，“L”形的一個(gè)臂跨越氧化硅納米線；然后腐蝕去除氧化硅納米線，并剝離氧化硅納米線之上的電子發(fā)射薄膜，形成具有納米狹縫的電子發(fā)射源陣列；最后，制作行電極和列電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕氮化硅層，是采用質(zhì)量濃度85％的磷酸在180℃下濕法刻蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕單晶硅片，是采用質(zhì)量濃度82.5％的四甲基氫氧化銨TMAH各向異性濕法刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述化學(xué)去除氮化硅柵條上的光刻膠柵條，是采用有機(jī)溶劑丙酮溶解并洗掉光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述腐蝕去除氧化硅納米線，是采用質(zhì)量濃度1％的HF酸腐蝕去除。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述在氧化硅納米線上制作“L”形的電子發(fā)射薄膜陣列，是采用噴墨打印工藝或?yàn)R射工藝制作。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射平板顯示器件的電子發(fā)射源制作方法，其特征在于，所述制作行電極和列電極，是采用絲網(wǎng)印刷工藝制作。