[發(fā)明專利]一種抗地彈效應(yīng)的輸出電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910021080.8 | 申請日： | 2009-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN101488743A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇強(qiáng);劉文平;吳龍勝;唐威 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國航天時(shí)代電子公司第七七一研究所 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 朱海臨 |
| 地址： | 710054*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 效應(yīng) 輸出 電路 | ||
1.一種抗地彈效應(yīng)的輸出電路，包括連接預(yù)驅(qū)動電路上節(jié)點(diǎn)(G)的第一PMOS晶體管(101)、連接預(yù)驅(qū)動電路下節(jié)點(diǎn)(F)的第一NMOS晶體管(103)，第一PMOS晶體管(101)的柵極通過串聯(lián)的第一和第二反相器與第二PMOS晶體管(102)的柵極連接；第一NMOS晶體管(103)的柵極通過串聯(lián)的第三和第四反相器與第二NMOS晶體管(104)的柵極連接，其特征在于，所述第一PMOS晶體管(101)的體區(qū)、第二PMOS晶體管(102)的體區(qū)分別連接有PMOS閾值電壓調(diào)整電路(105)；所述第一NMOS晶體管(103)的體區(qū)、第二NMOS晶體管(104)的體區(qū)分別連接有NMOS閾值電壓調(diào)整電路(106)；PMOS閾值電壓調(diào)整電路(105)和NMOS閾值電壓調(diào)整電路(106)在預(yù)驅(qū)動電路上(G)、下節(jié)點(diǎn)(F)由低電平轉(zhuǎn)換為高電平時(shí)，使第一、第二PMOS晶體管(101)、(102)的閾值電壓增大，第一、第二NMOS晶體管(103)、(104)的閾值電壓減小；在預(yù)驅(qū)動電路上(G)、下節(jié)點(diǎn)(F)由高電平轉(zhuǎn)換為低電平時(shí)，使第一、第二PMOS晶體管(101)、(102)的閾值電壓減小，第一、第二NMOS晶體管(103)、(104)的閾值電壓增大，從而實(shí)現(xiàn)輸出電路的抗地彈效應(yīng)，并減小功耗和延遲；
所述PMOS閾值電壓調(diào)整電路(105)包括第三PMOS晶體管(202)，其源極連接被調(diào)整PMOS晶體管的源極；該第三PMOS晶體管(202)的漏極連接被調(diào)整PMOS晶體管的體區(qū)，并通過第一電容(203)連接被調(diào)整PMOS晶體管的柵極；該第三PMOS晶體管(202)的柵極通過第五反相器(201)連接被調(diào)整PMOS晶體管的柵極；
所述NMOS閾值電壓調(diào)整電路(106)包括第三NMOS晶體管(302)，其源極連接被調(diào)整NMOS晶體管的源極；該第三NMOS晶體管(302)的漏極連接被調(diào)整NMOS晶體管的體區(qū)，并通過第二電容(303)連接被調(diào)整NMOS晶體管的柵極；該第三NMOS晶體管(302)的柵極通過第六反相器(301)連接被調(diào)整NMOS晶體管的柵極。
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