[發明專利]用光致激發在非摻雜量子阱中產生帶電激子的方法及裝置無效
| 申請號： | 200910020719.0 | 申請日： | 2009-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN101539519A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 冀子武;鄭雨軍;趙雪琴;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | G01N21/64 | 分類號： | G01N21/64;G02B5/04;H01L21/205 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 | 代理人： | 許德山 |
| 地址： | 250100山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用光 激發 摻雜 量子 產生 帶電 激子 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用光致激發在非摻雜量子阱中產生帶電激子的方法，其中帶電激子為帶負電的激子，它是由兩個電子和一個空穴組成的激子復合體，該方法步驟如下：
1)將硒化鋅/碲化鈹樣品裁剪成長方形晶片，對其表面用丙酮溶液去污、超純凈水沖洗、高純氮氣吹干后，再將樣品粘貼在圓形銅片上；
2)將粘貼有硒化鋅/碲化鈹樣品的銅片固定在樣品支架上，然后放置于盛有低溫液體氦的光低溫恒溫器中；光低溫恒溫器與抽氣機相連，樣品旁裝有加熱絲及溫度探測裝置；通過單獨調節抽氣機的抽速或加熱絲中的電流，將樣品的溫度控制在1～150K之間；
3)將能量為2.8～4.0eV、激發密度為0.001～200W/cm2的激光束垂直投射在樣品的上表面上；
4)樣品產生的熒光經凸透鏡會聚后經由光纖輸出至光譜儀；
5)經光譜儀分光后，由CCD檢測器得到帶電激子的熒光光譜。
2.如權利要求1所述的一種用光致激發在非摻雜量子阱中產生帶電激子的方法，其特征在于步驟1)中的硒化鋅/碲化鈹樣品結構可以是單量子阱，也可以是多量子阱或者是超晶格結構。
3.如權利要求1所述的一種用光致激發在非摻雜量子阱中產生帶電激子的方法，其特征在于步驟1)中的硒化鋅/碲化鈹樣品中ZnSe量子阱的厚度為10～80ML。
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