[發明專利]6H-SiC基底反極性AlGaInP LED芯片

無效

• 申請號: 200910020391.2
• 申請日: 2009-04-29
• 公開（公告）號: CN101540360A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 徐現剛;夏偉;蘇建
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種6H-SiC基底反極性AlGaInP?LED芯片，包括基底和基底上的外延層，其特征是：以6H-SiC材料作為基底，外延層由上至下依次為N型AlGaInP層、發光層、P型AlGaInP層、P型GaP層和金屬反射及粘結層，在N型AlGaInP層上設置N型電極，在6H-SiC基底的底面或金屬反射及粘結層上設置P型電極。金屬反射及粘結層包括一層粘接層和一個金屬反射鏡。

2.根據權利要求1所述的6H-SiC基底反極性AlGaInP?LED芯片，其特征是：6H-SiC材料是導電6H-SiC單晶或絕緣6H-SiC單晶。

3.一種權利要求1所述6H-SiC基底反極性AlGaInP?LED芯片的制作工藝，其特征是：包括以下步驟：

(1)首先在GaAs基底上生長外延結構，按常規由下至上依次外延生長N型AlGaInP層、發光層、P型AlGaInP層和P型GaP層，制成外延層；

(2)在經過拋光的6H-SiC基底上蒸鍍金屬反射及粘結層，金屬反射及粘結層包括一層粘接層和一個金屬反射鏡；

(3)在200℃~400℃加熱、小于1Torr的真空及30PSI~80PSI的靜壓的條件下將步驟(1)制備的外延層中P型GaP層與步驟(2)中的金屬反射及粘結層對接；

(4)選擇性腐蝕掉GaAs基底；

(5)在N型AlGaInP層上制作N型電極，在6H-SiC基底的底面或金屬反射及粘結層上制作P型電極。