[發(fā)明專利]利用PS球作模板制作發(fā)光二極管粗化表面的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910018772.7
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN101656285A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設計）人: 郝霄鵬;夏偉;鞏海波;吳擁中;徐現(xiàn)剛
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 濟南圣達專利商標事務所有限公司
• 代理人: 王書剛

1.一種利用PS球作模板制作發(fā)光二極管粗化表面的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)按常規(guī)利用金屬有機化學氣相沉積的方法在襯底上依次外延生長N型接觸層、多量子阱有源區(qū)和P型接觸層，形成外延片；

(2)在外延生長的P型接觸層上鋪設一層由PS球緊密排布組成的單層膜，PS球的直徑為100nm--1000nm；

(3)以硅酸四乙酯、金屬Zn、Al、Fe、Co、Ni、In、Sn、Ti的氯化物或硝酸鹽為前軀體，將前軀體、乙醇和水按質量比為1∶4∶20的比例混合后填充在單層膜的PS球與P型接觸層之間的間隙中，室溫靜置72小時；如果前軀體為硅酸四乙酯，在靜置過程中硅酸四乙酯水解為二氧化硅，乙醇和水揮發(fā)掉，并在靜置后將外延片置于干燥箱中于100℃干燥1小時；如果前軀體為上述金屬的氯化物或硝酸鹽，靜置過程是乙醇和水揮發(fā)的過程，并在靜置后將外延片在500℃加熱1小時，使氯化物或硝酸鹽分解為相應的氧化物；

(4)將外延片置于二氯甲烷中，用二氯甲烷溶解去除掉PS球，在PS球與P型接觸層之間的間隙中形成的氧化物按碗狀周期排列結構保留在P型接觸層上；

(5)用形成的氧化物作掩膜，干法刻蝕P型接觸層，形成粗化表面；其中干法刻蝕采用的刻蝕氣體為三氯化硼和氯氣，流量分別為25sccm和15sccm，ICP和RF功率分別為300和50W，刻蝕腔體內壓強為10mTorr；

(6)采用HF、NH₃F和水按質量比為3∶6∶20的比例混合而成的腐蝕液腐蝕掉殘留的氧化物。

2.根據(jù)權利要求1所述的利用PS球作模板制作發(fā)光二極管粗化表面的方法，其特征在于，所述步驟(2)單層膜中PS球為六方緊密排布、四方緊密排布或隨機排布。