[發(fā)明專利]一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910018292.0
• 申請(qǐng)日: 2009-09-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101656275A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃生榮;林桂江;吳志敏;丁杰;吳志強(qiáng);林志東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/20;H01L31/055;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232
• 代理公司: 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所
• 代理人: 徐東峰

1.一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其步驟如下：

1)采用氣相外延的方法制備倒裝結(jié)構(gòu)的多結(jié)化合物太陽(yáng)電池，在外延片襯底上先外延頂電池，再外延中電池，最后外延底電池；

2)在轉(zhuǎn)移襯底的表面蒸鍍制備有高反射率的金屬電極；

3)在上述具有高反射率的金屬電極的表面涂覆網(wǎng)格狀熒光粉層，用于將大于1.2微米部分太陽(yáng)光譜轉(zhuǎn)變成短波長(zhǎng)的太陽(yáng)電池光譜靈敏度較高的光譜；

4)在上述轉(zhuǎn)移襯底表面和多結(jié)化合物太陽(yáng)電池的底電池表面制備有用于鍵合的網(wǎng)格狀厚金屬電極；

5)把轉(zhuǎn)移襯底的表面和多結(jié)化合物太陽(yáng)電池的底電池的表面鍵合在一起，熒光粉層的表面同樣和多結(jié)化合物太陽(yáng)電池的底電池表面緊密接觸；

6)把多結(jié)化合物太陽(yáng)電池外延片襯底去除。

2.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：所述的熒光粉選自碳酸鹽熒光粉、YAG熒光粉或硅酸鹽熒光粉。

3.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：在涂覆熒光粉之前，熒光粉與黏附性溶劑調(diào)配混和并攪拌均勻。

4.如權(quán)利要求3所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：所述的黏附性溶劑選自室溫固化硅橡膠、氟化乙烯丙烯、聚乙烯醇縮丁醛、透明雙氧樹(shù)酯或聚醋酸乙烯。

5.如權(quán)利要求4所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：黏附性溶劑在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有高透光性、具有彈性。

6.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：所涂覆的熒光粉的厚度小于10微米。?

7.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：高反射率金屬電極材料為Ag或Al。

8.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝型多結(jié)化合物太陽(yáng)電池芯片的制備方法，其特征是：網(wǎng)格狀厚金屬電極材料選自Au、Al、Ag、Sn、Ti、AuSn合金、AuGe合金、Ni、Pb或PbSn。?