[發明專利]氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 200910015219.8 | 申請日： | 2009-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101552048A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 楊田林;宋淑梅;劉清田;姜麗莉;辛艷青;孔偉畢;李延輝;韓圣誥 | 申請（專利權）人： | 山東大學威海分校 |
| 主分類號： | H01B5/00 | 分類號： | H01B5/00;H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 威海科星專利事務所 | 代理人： | 于 濤 |
| 地址： | 264200山東省威海*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鋅 zno 透明 導電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜，其特征在于以ZnO為主體材料，摻入釔(Y)元素組成。
2、權利要求1所述的一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜，其特征在于釔(Y)元素是以氧化釔(Y2O3)的形式摻入的，氧化釔(Y2O3)量為總重量的2-5％。
3、一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜的制備方法，其特征在于采用射頻磁控濺射法。
4、根據權利要求3所述的一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜的制備方法，其特征在于具體操作步驟如下：
(1)用純度均為99.99％的ZnO和Y2O3粉末成坯、燒結制成ZnO:Y靶材，氧化釔(Y2O3)的摻入量為總重量的2-5％。
(2)將步驟(1)的靶材和清洗過的基片放入射頻磁控濺射儀，濺射制備ZnO:Y透明導電薄膜，濺射儀本底真空為1.0×10-4Pa，濺射氣體為氬氣，氬氣的氣壓0.6-3.0Pa，濺射功率為40-120W，濺射時間為3分56秒-30分46秒，膜厚為200-800nm。
5、根據權利要求4所述的一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜的制備方法，，其特征在于基片是普通玻璃，對基片依次用超聲波和丙酮清洗。
6、根據權利要求4所述的一種氧化鋅摻釔(ZnO:Y)透明導電薄膜的制備方法，，其特征在于濺射氣體氬氣，氬氣的純度為99.99％。
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