[發明專利]反應燒結碳化硅陶瓷及其生產工藝

無效

• 申請號: 200910014078.8
• 申請日: 2009-02-06
• 公開（公告）號: CN101508570A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 王明峰
• 申請（專利權）人: 濰坊華美精細技術陶瓷有限公司
• 主分類號: C04B35/573
• 分類號: C04B35/573;C04B35/622
• 代理公司: 濰坊正信專利事務所
• 代理人: 趙玉峰

1、反應燒結碳化硅陶瓷，其特征在于制成該陶瓷的原料包括：5～8重量份粒度為10～90μm的SiC粉、2～3重量份粒度為0.1～10μm的SiC粉、0.5～1重量份碳黑粉、0.3～0.8重量份石墨粉和0.1～0.3重量份的聚乙烯醇或羧甲基纖維素液體。

2、如權利要求1所述的反應燒結碳化硅陶瓷，其特征在于：所述兩種SiC粉的純度≥99.6％。

3、如權利要求1所述的反應燒結碳化硅陶瓷，其特征在于：所述碳黑粉采用冶金碳黑粉，其純度≥99.7％；所述石墨粉純度≥99.9％。

4、如權利要求1、2或3所述的反應燒結碳化硅陶瓷，其特征在于：所述聚乙烯醇或羧甲基纖維素液體重量濃度為60％。

5、一種反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于包括步驟：

(1)配料　將粒度為10～90μm的SiC粉5～8重量份、粒度為0.1～10μm的SiC粉2～3重量份、0.5～1重量份的碳黑粉、0.3～0.8重量份的石墨粉和0.1～0.3重量份的聚乙烯醇或羧甲基纖維素液體，分別加入到相對兩種SiC粉、碳黑粉和石墨粉重量之和10～30％的水中均勻攪拌混成漿料；

(2)注漿成型　將混成漿料置入容器中真空處理，在真空度達到-0.08MPa后，將漿料注入模具成型，0.5～12小時后開模得坯體；

(3)干燥　將坯體升溫到40～80℃，烘干坯體；

(4)修坯裝爐　將烘干后坯體按生產要求進行修理、驗尺后裝爐，裝爐時在坯體上放相對坯體重量30～70％的硅粉；

(5)真空燒結　燒結中升溫至1400～2200℃后恒溫保溫1～4小時，然后降溫出爐；

(6)去沙　出爐后進行打磨清理并氧化處理。

6、如權利要求5所述反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于：所述兩種SiC粉的純度≥99.6％。

7、如權利要求5所述反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于：所述碳黑粉采用冶金碳黑粉，其純度≥99.7％；所述石墨粉純度≥99.9％。

8、如權利要求5所述反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于：坯體燒結中緩慢升溫；降溫至140～160℃出爐。

9、如權利要求5所述反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于：所述步驟(4)修坯裝爐時所放硅粉的純度≥98％，粒度為2～4mm。

10、如權利要求5至9中任一項所述反應燒結碳化硅陶瓷的生產工藝，其特征在于：所述聚乙烯醇或羧甲基纖維素液體重量濃度為60％。