[發明專利]會切磁場約束ICP增強電離的非平衡磁控濺射薄膜沉積裝置

無效

• 申請號: 200910010112.4
• 申請日: 2009-01-13
• 公開（公告）號: CN101476110A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 任春生;張家良;王德真;王友年
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 大連理工大學專利中心
• 代理人: 侯明遠

1.一種會切磁場約束ICP增強電離的非平衡磁控濺射薄膜沉積裝置，其特征在于：裝置主體為一非平衡磁控外加ICP增強電離與會切磁場約束。在非平衡磁控濺射靶與樣品臺之間加入ICP增強放電，在非平衡磁控濺射靶下方分別加入三圈環狀永久磁鐵，與非平衡磁控濺射磁場閉合，沿放電室器壁產生一閉合磁場分布。

2.根據權利要求1所述的一種會切磁場約束ICP增強電離的非平衡磁控濺射薄膜沉積裝置，其特征在于：在非平衡磁控濺射外磁鐵環徑向外3.2cm下方3.2cm處加入外加環狀第一永磁鐵環，表面磁場強度3000Gs，在外加第一永磁鐵環下方4.0cm與8.0cm處再分別加入外加第二與第三環狀永磁鐵，表面磁場強度3000Gs。

3.根據權利要求1所述的一種會切磁場約束ICP增強電離的非平衡磁控濺射薄膜沉積裝置，其特征在于：在外加第一與第二永磁鐵環之間加入ICP增強放電第一匝射頻線圈，在外加第二與第三永磁鐵之間加入ICP增強電離的第二匝射頻線圈，在外加第三永磁鐵之間與下方真空室之間加入ICP增強電離的第三匝射頻線圈；射頻線圈用銅管做成，內部通水進行水冷。