[發明專利]分離膜

無效

• 申請號: 200910009989.1
• 申請日: 2005-03-15
• 公開（公告）號: CN101502760A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 相澤正信
• 申請（專利權）人: 三菱化學株式會社
• 主分類號: B01D71/02
• 分類號: B01D71/02;B01D53/22;B01D69/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張平元

1.一種分離膜，其包括多孔基體和在該多孔基體表面成膜的沸石薄膜， 所述多孔基體為主要成分包括氧化鋁的陶瓷燒結材料，其中，

上述多孔基體具有基層和在該基層表面形成的上述沸石薄膜的底層，

上述底層的平均細孔徑小于上述基層的平均細孔徑。

2.權利要求1中所述的分離膜，其中，上述多孔基體的氮氣透過速度為 200～7000m³/(m²·hr·atm)。

3.權利要求2中所述的分離膜，其中，上述氮氣透過速度為400～7000m³/ (m²·hr·atm)。

4.權利要求1至3中任意一項所述的分離膜，其中，上述基層的平均細 孔徑為4～12μm，上述底層的平均細孔徑為0.4～1.2μm。

5.權利要求1至4中任意一項所述的分離膜，其中，上述基層的厚度為 1～3mm。

6.權利要求1至5中任意一項所述的分離膜，其中，上述底層的厚度為 10～200μm。

7.權利要求1至6中任意一項所述的分離膜，其中，構成上述底層的粒 子的縱橫比為1.05以上。

8.權利要求1至6中任意一項所述的分離膜，其中，構成上述底層的粒 子的縱橫比為1.2以上。

9.權利要求1至8中任意一項所述的分離膜，其中，上述多孔基體的氣 孔率為20～50％。

10.權利要求1至8中任意一項所述的分離膜，其中，上述多孔基體的 氣孔率為35～40％。

11.權利要求1至10中任意一項所述的分離膜，其中，按照水泡點法測 定的上述多孔基體的最大細孔徑為9μm以下。

12.權利要求1至10中任意一項所述的分離膜，其中，按照水泡點法測 定的上述多孔基體的最大細孔徑為7μm以下。

13.權利要求1至12中任意一項所述的分離膜，其中，上述多孔基體含 有的Ca和K的總含有率為0.8mol％以下。

14.權利要求1至12中任意一項所述的分離膜，其中，上述多孔基體含 有的Ca和K的總含有率為0.5mol％以下。