[發明專利]顯示裝置、用于顯示裝置的驅動方法和電子裝置

有效

• 申請號: 200910009986.8
• 申請日: 2009-02-04
• 公開（公告）號: CN101504824A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 山本哲郎;內野勝秀
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 周少杰

技術領域

本發明涉及其中在像素中使用發光元件的有源矩陣型顯示裝置以及用于 所述類型的顯示裝置的驅動方法。本發明還涉及包括所述類型的顯示裝置的 電子裝置

背景技術

近年來，使用有機EL(電致發光)設備作為發光元件的平面自發光型的 顯示裝置的開發正積極地進行。有機EL設備利用這樣的現象：如果將電場 施加到有機薄膜，則有機薄膜發光。因為有機EL設備由低于10V的施加電 壓驅動，所以有機EL設備的功耗低。此外，因為有機EL設備是自己發光的 自發光設備，所以它不要求照明部件并且可以形成為縮減重量和縮減厚度的 設備。此外，因為有機EL設備的響應速度接近幾μs并且非常高，所以在顯 示動態畫面時不出現余像。

在其中在像素中使用有機EL設備的平板自發光型顯示裝置中，有源矩 陣型的顯示裝置正被積極地開發，其中作為有源元件的薄膜晶體管在像素中 以集成關系形成。例如，在日本專利特許公開No.2003-255856、2003-271095、 2004-133240、2004-029791和2004-093682中公開了有源矩陣型的平板自發 光顯示裝置。

圖16示意性示出了現有的有源矩陣顯示裝置的示例。參照圖16，所示 的顯示裝置包括像素陣列部分1和外圍驅動部分。所述驅動部分包括水平選 擇器3和寫入掃描器4。像素陣列部分1包括沿著列方向延伸的多條信號線 SL以及沿著行方向延伸的多條掃描線WS。像素2放置在每條信號線SL和 每條掃描線WS相互交叉的地方。為了便于理解，圖16中只示出了一個像素 2。寫入掃描器4包括移位寄存器，其響應于從外部提供給其的時鐘信號ck 以連續地傳送類似地從外部提供給其的開始脈沖sp，以輸出順序控制信號給 掃描線WS。水平選擇器3與寫入掃描器4側的線序掃描同步地將圖像信號 提供給信號線SL。

像素2包括采樣晶體管T1、驅動晶體管T2、存儲電容器C1和發光元件 EL。驅動晶體管T2是P溝道型，并且在其作為電流端子之一的源極連接到 電源線，并且在其作為另一電流端子的漏極連接到發光元件EL。驅動晶體管 T2在其作為其控制端子的柵極、通過采樣晶體管T1連接到信號線SL。響應 于從寫入掃描器4提供給其的控制信號使得采樣晶體管T1導通，并且將從信 號線SL提供的圖像信號采樣并寫入存儲電容器C1中。驅動晶體管T2在其 柵極接收寫入存儲電容器C1中的圖像信號作為柵極電壓Vgs，并且將漏極電 流Ids提供給發光元件EL。因此，發光元件EL以對應于圖像信號的亮度發 光。柵極電壓Vgs表示在柵極處相對于源極的電勢。

驅動晶體管T2工作在飽和區，并且柵極電壓Vgs和漏極電流Ids之間的 關系由以下特性表達式表示：

Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²

其中μ是驅動晶體管的遷移率，W是驅動晶體管的溝道寬度，L是驅動晶體 管的溝道長度，Cox是驅動晶體管的每單位面積的柵極隔離層電容，以及Vth 是驅動晶體管的閾值電壓。如從該特性表達式明顯看到的，當驅動晶體管T2 工作在飽和區中時，它用作響應于柵極電壓Vgs提供漏極電流Ids的恒流源。

圖17圖示了發光元件EL的電壓/電流特性。在圖17中，橫坐標軸指示 陽極電壓V，而縱坐標軸指示漏極電流Ids。要注意的是，發光元件EL的陽 極電壓是驅動晶體管T2的漏極電壓。發光元件EL的電流/電壓特性隨著時間 變化，使得其特性曲線隨著時間經過趨于變得比較不陡峭。因此，即使漏極 電流Ids固定，陽極電壓或漏極電壓V也變化。在這點上，因為圖16所示的 像素電路2中的驅動晶體管T2工作在飽和區，并且可以提供對應于柵極電壓 Vgs的漏極電流Ids而不管漏極電壓的變化，所以發光亮度可以保持固定而不 管發光元件EL的特性依賴時間的變化。

圖18示出了現有像素電路的另一示例。參照圖18，所示像素電路與上 面參照圖16所述的像素電路不同在于驅動晶體管T2不是P溝道型而是N溝 道型。從電路的構造工藝來說，由N溝道晶體管形成構成像素的所有晶體管 通常是有利的。

發明內容