[發(fā)明專利]生長Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的方法以及制造發(fā)光器件和電子器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910009927.0
• 申請日: 2009-01-24
• 公開（公告）號: CN101499416A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村孝夫;上野昌紀(jì);上田登志雄;高須賀英良;千田裕彥
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/30;H01L33/00;H01S5/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳海濤;樊衛(wèi)民

1.一種生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法，包括：

準(zhǔn)備作為氮原料的氣體的工序，所述氣體包含選自一甲胺和一乙 胺中的至少一種物質(zhì)；以及

使用所述氣體通過氣相生長法生長III-V族化合物半導(dǎo)體的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法，其中 所述III-V族化合物半導(dǎo)體包含III-V族氮化物半導(dǎo)體。

3.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中所述氣相生長法為選自有機(jī)金屬氣相外延法、氫化物氣相外延法 和分子束外延法中的至少一種方法。

4.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中所述III-V族化合物半導(dǎo)體包含銦。

5.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中，

所述準(zhǔn)備氣體的工序包括準(zhǔn)備氨的步驟，以及

所述生長III-V族化合物半導(dǎo)體的工序包括：在供應(yīng)選自一甲胺和 一乙胺中的至少一種物質(zhì)的時(shí)候供應(yīng)氨的步驟。

6.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中，

所述準(zhǔn)備氣體的工序包括準(zhǔn)備氨的步驟，以及

所述生長III-V族化合物半導(dǎo)體的工序包括：供應(yīng)選自一甲胺和一 乙胺中的至少一種物質(zhì)的步驟和供應(yīng)氨的步驟，其中在所述生長III-V 族化合物半導(dǎo)體的工序中的這些步驟可交替進(jìn)行。

7.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中一甲胺和一乙胺各自具有50ppm以下的H₂O含量。

8.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中所述準(zhǔn)備氣體的工序包括：從選自一???甲胺和一乙胺中的至少一種 物質(zhì)中除去H₂O的步驟。

9.如權(quán)利要求1或2所述的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法， 其中所述III-V族化合物半導(dǎo)體包含p型半導(dǎo)體層。

10.一種制造發(fā)光器件的方法，包括：

通過權(quán)利要求1或2的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法生長III-V 族化合物半導(dǎo)體的階段。

11.一種制造電子器件的方法，包括：

通過權(quán)利要求1或2的生長III-V族化合物半導(dǎo)體的方法生長III-V 族化合物半導(dǎo)體的階段。