[發(fā)明專利]使用III-V半導(dǎo)體太陽能電池的聚光光伏打系統(tǒng)模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910009814.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-01-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101510571A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加里·赫林;米哈伊爾·卡茨;艾倫·戈倫茲;斯科特·埃爾曼;方路 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安科太陽能公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/052 | 分類號(hào): | H01L31/052 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 孟 銳 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 iii 半導(dǎo)體 太陽能電池 聚光 光伏打 系統(tǒng) 模塊 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于使用III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池的聚光光伏打系統(tǒng) 陣列中的模塊或子組合件。
背景技術(shù)
過去,太陽能電力(在太空與地面兩者中)主要由硅太陽能電池提供。然而,在 過去幾年中,對(duì)用于太空應(yīng)用的高效III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池的大量制造 已使得人們考慮能夠?qū)⒋颂娲夹g(shù)用于地面電力產(chǎn)生。與硅相比,III-V化合物半導(dǎo) 體多結(jié)電池通常更能抵抗輻射且具有更大的能量轉(zhuǎn)換效率,但其制造起來往往花費(fèi)較 大。當(dāng)前一些III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)電池具有超過27%的能量效率,而硅技術(shù)通常 僅達(dá)到約17%的效率。在聚光條件下,當(dāng)前一些III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)電池具有超 過37%的能量效率。
一般來說,所述多結(jié)電池具有p上n極性且由InGaP/(In)GaAs/Ge半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的 豎直堆迭組成。III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池層通常可經(jīng)由金屬有機(jī)化學(xué)氣相 沉積(MOCVD)生長在鍺(Ge)襯底上。使用Ge襯底可準(zhǔn)許在n型與p型Ge之間形 成結(jié),借此利用所述襯底來形成底部或低帶隙子電池。所述太陽能電池結(jié)構(gòu)通常生長 在直徑100毫米且平均質(zhì)量密度約86毫克/平方厘米的Ge晶片上。在某些加工過程 中,在MOCVD生長過程期間跨越容納12或13個(gè)Ge襯底的底板的外延層均勻度優(yōu) 于99.5%。每一晶片通常產(chǎn)生兩個(gè)大面積的太陽能電池。經(jīng)加工以用于生產(chǎn)的電池面 積通常介于從26.6到32.4平方厘米的范圍內(nèi)。外延晶片可隨后通過以下步驟加工為 成品太陽能電池裝置:自動(dòng)機(jī)器人光刻、金屬化、化學(xué)清洗及蝕刻、抗反射(AR)涂布、 切割成片以及測試過程。n與p觸點(diǎn)金屬化物通常主要由Ag組成,其具有薄Au頂蓋 層以保護(hù)Ag免受氧化。所述AR涂層是雙層TiOx/Al2O3介電堆迭,其光譜反射率特 性經(jīng)設(shè)計(jì)以將蓋片玻璃互連電池(CIC)或太陽能電池組合件(SCA)層級(jí)處的反射降到 最低,以及使電池的壽命終止(EOL)性能達(dá)到最高。
在某些化合物半導(dǎo)體多結(jié)電池中,與GaAs電池不同,中間電池是InGaAs電池。 對(duì)于InGaAs中間電池,銦濃度可在約1.5%的范圍內(nèi)。在某些實(shí)施方案中,這一布置 呈現(xiàn)增加的效率。使用InGaAs層的優(yōu)點(diǎn)是,此類層可基本完美地晶格匹配到Ge襯 底。
發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明一方面中,太陽能電池模塊包括一子組合件,所述子組合件包含具有多 結(jié)III-V化合物半導(dǎo)體太陽能電池的太陽能電池接收器、輔助光學(xué)元件及用于將入射 光聚集到所述太陽能電池上的透鏡。
在本發(fā)明一方面中,用于將太陽能轉(zhuǎn)換為電的太陽能電池模塊包括:外殼,其包 括第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè);菲涅爾(Fresnel)透鏡整體陣列,其耦合到 所述外殼的所述第一側(cè),每一透鏡均具有在約38.1厘米與約50.8厘米之間的焦距; 多個(gè)太陽能電池接收器,其設(shè)置在所述外殼的第二側(cè)上,每一太陽能電池接收器均包 括:包括一個(gè)或一個(gè)以上III-V化合物半導(dǎo)體層的太陽能電池,其中所述太陽能電池 具有約1厘米×約1厘米的尺寸;具有本體、陽極端子及陰極端子的二極管,所述二 極管與所述太陽能電池并聯(lián)耦合;第一及第二電端子,其與所述太陽能電池及所述二 極管并聯(lián)耦合且適于提供到一個(gè)或一個(gè)以上間隔開的太陽能電池接收器的電連接;設(shè) 置在每一相應(yīng)透鏡的光路徑中的多個(gè)輔助光學(xué)元件,每一輔助光學(xué)元件界定一具有多 個(gè)反射壁的相應(yīng)錐形光學(xué)通道;每一太陽能電池均設(shè)置在相應(yīng)透鏡及相應(yīng)光學(xué)通道的 光學(xué)路徑中,其中所述透鏡可操作以將太陽能以400或更多的聚光倍數(shù)聚集到所述相 應(yīng)太陽能電池上并產(chǎn)生超過14瓦的峰值功率。
在某些實(shí)施方案中,所述太陽能電池接收器包括:襯底,其用于支撐所述太陽能 電池及二極管;其中所述二極管本體包括頂部部分及底部部分,所述底部部分比所述 頂部部分更接近于襯底而設(shè)置;涂層,其設(shè)置在所述二極管本體的頂部部分上方并延 伸到襯底,所述涂層大致囊封所述二極管本體、陽極端子及陰極端子;底涂層,其大 致占據(jù)二極管本體底部部分與襯底之間的全部空間。
在某些實(shí)施方案中,底涂層經(jīng)設(shè)置以使得所述二極管與所述襯底之間不存在氣 隙。
在某些實(shí)施方案中,菲涅爾(Fresnel)透鏡的整體陣列是具有適于與外殼上的對(duì) 準(zhǔn)元件耦合的對(duì)準(zhǔn)元件的丙烯酸纖維薄片。
在某些實(shí)施方案中,透鏡的焦距約為45厘米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





