[發(fā)明專利]只讀內(nèi)存單元陣列結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910009551.3
• 申請(qǐng)日: 2009-02-19
• 公開（公告）號(hào): CN101521206A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖忠志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;G11C17/08;G11C16/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

1.一種半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，包含：

一延伸且連續(xù)的有源區(qū)域；

一第一晶體管，形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，所述第一晶體管形成一第一單一晶體管內(nèi)存單元；

一第二晶體管，也形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，所述第二晶體管形成一第二單一晶體管內(nèi)存單元，且為沿著延伸方向與所述第一單一晶體管內(nèi)存單元最接近的內(nèi)存單元；以及

一隔離柵極，形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，并介于所述第一晶體管與第二晶體管之間，

其中，所述隔離柵極與所述第一晶體管及第二晶體管的柵極實(shí)質(zhì)上具有相同的結(jié)構(gòu)，并提供一預(yù)定電壓，以切斷任何流經(jīng)所述隔離柵極下方的所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域的一部分的有效電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管及第二晶體管是NMOS晶體管，且所述預(yù)定電壓為一接地電壓(VSS)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，還包含布設(shè)在所述延伸方向上的一位線，所述位線連接至所述第一晶體管及第二晶體管的漏極，而所述第一晶體管的源極連接至所述預(yù)定電壓，且所述第二晶體管的源極與所述預(yù)定電壓的連接斷開。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管的源極通過一個(gè)或多個(gè)接觸連接至所述預(yù)定電壓，且所述第二晶體管的源極不具有接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管的源極通過從所述第一晶體管的源極至一第一金屬層的第一金屬區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)接觸、以及所述第一金屬層的第一金屬區(qū)域與一第二金屬層的第二金屬區(qū)域之間的一個(gè)或多個(gè)介層窗連接至所述預(yù)定電壓；且所述第二晶體管的源極與所述預(yù)定電壓的連接斷開，因?yàn)閺乃龅诙w管的源極至所述預(yù)定電壓的欲得的連接路徑上不具有介層窗。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，還包含布設(shè)在所述延伸方向的一位線，所述位線連接至所述第一晶體管的漏極，但與所述第二晶體管的漏極的連接斷開，而所述第一晶體管及所述第二晶體管的源極連接至所述預(yù)定電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管的漏極通過一個(gè)或多個(gè)接觸連接至所述位線，且所述第二晶體管的漏極不具有接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管的漏極通過從所述第一晶體管的漏極至一第三金屬層的第三金屬區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)接觸、以及所述第三金屬層的第三金屬區(qū)域與一第四金屬層的第四金屬區(qū)域之間的一個(gè)或多個(gè)介層窗連接至所述位線；且所述第二晶體管的漏極與所述位線的連接斷開，因?yàn)閺乃龅诙w管的漏極至所述位線的欲得的連接路徑上不具有介層窗。

9.一種半導(dǎo)體只讀內(nèi)存單元陣列，包含：

一延伸且連續(xù)的有源區(qū)域；

一第一晶體管，形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，所述第一晶體管形成一第一單一晶體管內(nèi)存單元；

一第二晶體管，也形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，所述第二晶體管形成一第二單一晶體管內(nèi)存單元，且為沿著延伸方向與所述第一單一晶體管內(nèi)存單元最接近的內(nèi)存單元；以及

一隔離柵極，形成在所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域上，并介于所述第一晶體管與第二晶體管之間，

其中，所述隔離柵極與所述第一晶體管及第二晶體管的柵極實(shí)質(zhì)上具有相同的結(jié)構(gòu)，并提供一預(yù)定電壓，以切斷任何流經(jīng)所述隔離柵極下方的所述延伸且連續(xù)的有源區(qū)域的一部分的有效電流。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體只讀內(nèi)存單元陣列，還包含布設(shè)在所述延伸方向上的一位線，所述位線連接至所述第一晶體管及第二晶體管的漏極，而所述第一晶體管的源極連接至所述預(yù)定電壓，且所述第二晶體管的源極與所述預(yù)定電壓的連接斷開。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體只讀內(nèi)存單元陣列，其中，所述第一晶體管的源極通過一個(gè)或多個(gè)接觸連接至所述預(yù)定電壓，且所述第二晶體管的源極不具有接觸。