[發明專利]印刷配線板及其制造方法無效
| 申請號: | 200910009404.6 | 申請日: | 2009-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN101516165A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發明(設計)人: | 長瀬健司;上松博幸;川畑賢一 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/42 | 分類號: | H05K3/42;H05K3/46;H05K1/11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 印刷 線板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及印刷配線板及其制造方法,尤其涉及多層印刷配線板的配線方法。
背景技術
一直以來,印刷配線板的高密度安裝構造,已知有一種模塊或包裝構造,其將印刷配線板制成導體層和絕緣層交互層疊的多層構造,并且在內部內置半導體IC芯片(裸芯片、管芯)等有源部件或電阻、電容等無源部件。在這樣的多層構造中,一般在層間形成連通孔或接觸孔等連接孔,利用這些連接孔,將設在不同的層的導體層和內置的電子部件的電極等電連接。
例如,專利文獻1中記載了一種配線方法:在具備絕緣層以及分別設在其上部和下部的上部導體層和下部導體層的多層基板中,在上部導體層形成具有與激光照射直徑相同的形狀尺寸的開口,以其上部導體層的開口圖形為掩模(保形掩膜(conformal?mask)),向絕緣層照射激光,以作為被配線體的下部導體層在絕緣層下露出的方式貫穿設置通孔之后,在其內部和上部導體層實施保形電鍍,將上下導體層連接。而且,作為不使用掩模的方法,專利文獻1中記載了一種在帶銅箔的絕緣層上形成通孔的直接覆銅法(copper?direct),作為印刷配線板上的一般的通孔形成,專利文獻2中記載了一種向在基材上貼附有銅箔的覆銅板照射碳酸氣體激光并從銅箔之上將孔形成于基材上的方法。
專利文獻1:日本特開第2003-179351號公報
專利文獻2:日本特開第2001-239386號公報
發明內容
但是,在使用上述現有的通孔形成的配線方法中,由開口的通孔的底部形成的下部導體層的面(焊墊)和通孔的內壁面所成的角度陡峭,因而,如果要對通孔內部進行電鍍,則難以充分地確保通孔的開口部周緣(通孔的上部的角度)的電鍍的厚度,如果這樣,則在該部位產生電鍍不良,結果,作為被配線體的通孔的底壁(焊墊)和上部導體層的連接可靠性有可能降低。
例如,本發明者進行了各種探討之后,確認了:像專利文獻1所記載的保形掩膜法那樣,在絕緣層上設置具有與激光照射直徑相同或者比其小的開口的導體層的圖形,通過該保形掩膜照射與開口相同或者比其大的光束直徑的激光,形成通孔的方法中,以及,在導體層上形成比激光的光束直徑大的開口,進行激光照射,形成通孔的方法中,在通孔上部的開口部周緣,與其它的部分相比,電鍍的附著變得不充分,在該部位,電鍍膜有局部地過度變薄的傾向。
尤其是近來,在印刷配線基板中,為了應對更加高密度化的安裝的要求,部件的端子間距和配線間距的狹小化(小間距化)正在快速地推進,結果,通孔的高深寬比化也在推進,而且,電鍍膜自身的薄層化也是當務之急,因而,起因于通孔的電鍍不良的連接可靠性的低下已成為今后逐漸重大的問題。尤其是搭載半導體IC芯片等電子部件的模塊(module)或包裝(package),其通孔數非常多,因而,為了確保并維持制品的可靠性,可以說對所有的通孔確保連接可靠性是極其重要的課題。
另外,如專利文獻1所記載的在帶銅箔的絕緣層上形成通孔的直接覆銅法,以及,像專利文獻2所記載的方法那樣,不對上部導體層進行圖形印刻以形成掩模,向導體層上照射激光,將導體層連同絕緣層一起貫通,形成通孔的方法中,在其后的通孔的電鍍中,在難以充分地確保通孔的開口部周緣的電鍍厚度的方面沒有改變。而且,專利文獻2中記載了如果使用該方法,則在貫穿設置的通孔的周圍產生銅箔的毛刺,有必要用濕法蝕刻除去這些毛刺,在這一點上,在確保連接可靠性的方面仍然存在問題。
因此,本發明是鑒于這些問題而提出的,其目的在于,提供一種印刷配線板及其制造方法,該印刷配線板能夠抑制形成于印刷配線板的通孔等連接孔的電鍍不良,由此提高連接可靠性,并能夠充分地應對進一步的小間距化。
本發明的印刷配線板具備:具有貫通孔的絕緣層、設在絕緣層上的導體層、以及以從貫通孔露出的方式設置且經由貫通孔而電連接于導體層的配線層,貫通孔具有與配線層相接的第1內壁部、以及與導體層相接的第2內壁部,并且,第2內壁部上的與導體層相接的部位的至少一部分的錐角大于第1內壁部的錐角。而且,配線層和導體層可以不必為層狀,例如,配線層和導體層的兩者或者任何一個為包括電極或者端子那樣的被配線體的概念。
或者,換句話說,本發明中,貫通孔具有與配線層相接的第1內壁部、以及與導體層相接的第2內壁部,并且,導體層或者配線層的延伸面和第2內壁部上的與導體層相接的部位的至少一部分所成的內角的大小,大于導體層或者配線層的延伸面和第1內壁部所成的內角的大小。
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