[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910008586.5
• 申請(qǐng)日: 2009-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN101630661A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李起正;盧載盛;吉德信;金榮大;金珍赫;都官佑;樸京雄;李正燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/41;H01L29/92
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成多個(gè)多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，所述多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的每一個(gè)掩埋在多個(gè)模層中，其中所述多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的最上層由支撐層固定；

蝕刻所述支撐層的一部分以形成開口；和

通過(guò)所述開口供給蝕刻溶液以移除所述多個(gè)模層，

其中所述多個(gè)多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的每一個(gè)均包括：第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)在所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的頂表面中具有槽，

其中所述第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)布置在所述槽上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)通過(guò)以下步驟形成：

形成第一模層；

蝕刻所述第一模層以形成第一開口區(qū)域；

形成掩埋在所述第一開口區(qū)域中的所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；

在所述第一模層上形成第二模層和支撐層；

蝕刻所述支撐層和所述第二模層以形成第二開口區(qū)域；和

形成掩埋在所述第二開口區(qū)域中并與所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接的第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)通過(guò)以下步驟形成：

形成第一模層；

在所述第一模層上形成第二模層，其中所述第二模層的濕蝕刻速率低于所述第一模層的濕蝕刻速率；

蝕刻所述第一模層和所述第二模層以形成第一開口區(qū)域；

通過(guò)濕蝕刻工藝加寬所述第一開口區(qū)域；

形成掩埋在所述加寬的第一開口區(qū)域中的所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；

在所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上形成第三模層和支撐層；

蝕刻所述支撐層和所述第三模層以形成第二開口區(qū)域；和

形成掩埋在所述第二開口區(qū)域中并與所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接的所述第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二開口區(qū)域的底部線寬小于所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的頂部線寬。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一和第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)通過(guò)用導(dǎo)電層填滿所述第一和所述第二開口區(qū)域并對(duì)所述導(dǎo)電層實(shí)施平坦化工藝來(lái)形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述導(dǎo)電層包括金屬氮化物層或金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一模層包括硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、旋涂電介質(zhì)(SOD)和磷硅酸鹽玻璃(PSG)中的一種，所述第二模層包括低壓原硅酸四乙酯(LPTEOS)或等離子體增強(qiáng)原硅酸四乙酯(PETEOS)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述開口通過(guò)以下步驟形成：

在包括所述第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成限定開口的光刻膠圖案；和

使用所述光刻膠圖案作為蝕刻阻擋層蝕刻所述犧牲層和所述支撐層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模層包括氧化物層，所述支撐層包括氮化物層或未摻雜的多晶硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述模層包括濕浸出工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)多層柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)通過(guò)以下步驟形成：

形成絕緣層；

蝕刻所述絕緣層以形成開口區(qū)域；和

形成掩埋在所述開口區(qū)域中的柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上重復(fù)形成至少一個(gè)另外的柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

13.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一模層；

蝕刻所述第一模層以形成第一開口區(qū)域；

形成掩埋在所述第一開口區(qū)域中的第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；

在所述第一模層和所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上形成包括開口的支撐層，其中所述開口用作蝕刻溶液滲透通過(guò)的路徑；

在所述支撐層上形成第二模層；

蝕刻所述第二模層和所述支撐層以形成暴露所述第一柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)頂表面的第二開口區(qū)域；

形成掩埋在所述第二開口區(qū)域中的第二柱狀物型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；和

供給蝕刻溶液以移除所述第一和第二模層。