[發明專利]芯片封裝結構的制程

有效

• 申請號: 200910008383.6
• 申請日: 2009-02-25
• 公開（公告）號: CN101740410A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 沈更新;林峻瑩
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/782
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種芯片封裝結構的制程，包括：

提供一圖案化導電層與一圖案化防焊層，其中該圖案化防焊層配置于該圖案化導電層上；

接合多個芯片至該圖案化導電層上，以使該些芯片與該圖案化防焊層分別配置于該圖案化導電層的相對二表面上；

借由多條導線電性連接該些芯片至該圖案化導電層，其中該些芯片與該些導線位于該圖案化導電層的同一側；

形成至少一封裝膠體，以包覆該圖案化導電層、該些芯片以及該些導線；以及

分離該封裝膠體、該圖案化導電層與該圖案化防焊層，

其中形成一粘著層于該些芯片與該圖案化導電層之間，且該粘著層為一B階粘著層。

2.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，提供該圖案化導電層與該圖案化防焊層的方法包括：

提供一導電層；

形成一防焊層于該導電層上；

圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層，其中該圖案化防焊層暴露出部分該導電層；以及

圖案化該導電層以形成該圖案化導電層。

3.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，提供該圖案化導電層與該圖案化防焊層的方法包括：

提供一防焊層；

形成一導電層于該防焊層上；

圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層，其中該圖案化防焊層暴露出部分該導電層；以及

圖案化該導電層以形成該圖案化導電層。

4.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，提供該圖案化導電層與該圖案化防焊層的方法包括：

提供一導電層；

形成一防焊層于該導電層上；

圖案化該導電層以形成該圖案化導電層；以及

圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層，其中該圖案化防焊層暴露出部分該圖案化導電層。

5.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，提供該圖案化導電層與該圖案化防焊層的方法包括：

提供一防焊層；

形成一導電層于該防焊層上；

圖案化該導電層以形成該圖案化導電層；以及

圖案化該防焊層以形成該圖案化防焊層，其中該圖案化防焊層暴露出部分該圖案化導電層。

6.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，多個芯片墊與多個引腳形成于該圖案化導電層上。

7.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，多個開口形成于該圖案化防焊層上。

8.如權利要求7所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，更包括：

于各該開口中形成一外部電極，且該些外部電極透過該些開口電性連接至該圖案化導電層。

9.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，該B階粘著層預先形成于該芯片的一背面上。

10.如權利要求1所述的芯片封裝結構的制程，其特征在于，在該芯片粘著至該圖案化導電層之前，該B階粘著層形成于該圖案化導電層上。