[發明專利]固態成像裝置和照相機有效
| 申請號: | 200910008380.2 | 申請日: | 2009-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN101521216A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發明(設計)人: | 工藤義治 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/52;H04N9/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 照相機 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
包括元件組的成像部分,所述元件組包括:顏色光電轉換元件,構造為將在第一、第二和第三波長范圍內的光信號分別轉換成電信號;白色光電轉換元件,構造為將在包括整個可見光范圍和部分紅外光范圍的波長范圍內的光信號轉換成電信號;和遮光二極管元件,構造為被遮光;以及
外圍電路,圍繞所述成像部分配置,其中
在所述成像部分中,通過包括白色光電轉換元件和遮光二極管元件來對應于一個顏色光電轉換元件而形成單元,在所述單元內,所述白色光電轉換元件通過滿溢通路與所述遮光二極管元件電連接。
2.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述單元通過包括沿垂直和水平方向各兩個、總共四個元件而形成,第一個是所述白色光電轉換元件,第二個是一個顏色光電轉換元件,第三個是所述遮光二極管元件,第四個是另一個遮光二極管元件,在該單元內,所述白色光電轉換元件與所述一個顏色光電轉換元件成對角線配置,兩個所述遮光二極管元件的每個都通過滿溢通路與所述白色光電轉換元件電連接。
3.根據權利要求2所述的固態成像裝置,其中
由所述顏色光電轉換元件構成的組配置為形成拜耳布置。
4.根據權利要求3所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括芯片上透鏡,每個芯片上透鏡在空間上對應于所述一個顏色光電轉換元件和所述白色光電轉換元件并配置為形成傾斜像素布置。
5.根據權利要求4所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括內部透鏡以用作聚光結構。
6.根據權利要求4所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括光學波導以用作聚光結構。
7.根據權利要求4所述的固態成像裝置,其中
所述遮光二極管元件的面積小于所述光電轉換元件和所述白色光電轉換元件中至少一個的面積。
8.根據權利要求4所述的固態成像裝置,其中
在所述成像部分中,浮置擴散區、放大晶體管和重置晶體管配置為被多個所述元件共用。
9.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述單元包括一個白色光電轉換元件和兩個遮光二極管元件。
10.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
由所述顏色光電轉換元件構成的組配置為形成拜耳布置。
11.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括芯片上透鏡,每個芯片上透鏡在空間上對應于所述一個顏色光電轉換元件和所述白色光電轉換元件并配置為形成傾斜像素布置。
12.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括內部透鏡以用作聚光結構。
13.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述成像部分還包括光學波導以用作聚光結構。
14.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述遮光二極管元件的面積小于所述顏色光電轉換元件和所述白色光電轉換元件中至少一個的面積。
15.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述第一波長范圍是藍色濾色器的波長范圍,所述第二波長范圍是綠色濾色器的波長范圍,而所述第三波長范圍是紅色濾色器的波長范圍。
16.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中
所述第一波長范圍是青色濾色器的波長范圍,所述第二波長范圍是洋紅色濾色器的波長范圍,而所述第三波長范圍是黃色濾色器的波長范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼株式會社,未經索尼株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910008380.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:發光二極管封裝
- 下一篇:半導體基底及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





