[發明專利]薄膜晶體管及顯示器件

有效

• 申請號: 200910008341.2
• 申請日: 2009-02-26
• 公開（公告）號: CN101521231A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 大力浩二;宮入秀和;黑川義元;山崎舜平;鄉戶宏充;河江大輔;小林聰
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/36;H01L27/12;H01L21/20;H01L21/265;G02F1/1362
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 屠長存

1.一種薄膜晶體管，包括：

柵電極；

所述柵電極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的一對導電層，該一對導電層至少部分地重疊 于所述柵電極，并配置為在溝道長度方向上相離；

所述一對導電層及所述柵電極上的一對雜質半導體層，該一對雜 質半導體層添加有賦予一導電型的雜質元素，以形成源區及漏區；以 及

所述一對導電層上的非晶半導體層，該非晶半導體層接觸所述一 對導電層之間的所述柵極絕緣層的至少一部分，并配置在所述一對雜 質半導體層和所述一對導電層之間。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層的每 一層的導電率是0.9S/cm至2S/cm。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層分別 是金屬層、金屬氮化物層、金屬碳化物層、金屬硼化物層或金屬硅化 物層。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層分別 是添加有作為施體的雜質的半導體層。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層的每 一個中的施體濃度為5×10¹⁸atoms/cm³以上且2×10²⁰atoms/cm³以下。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層是微 晶硅層。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述非晶半導體層是 非晶硅層。

8.一種在像素部的各像素中設置有根據權利要求1所述的薄膜晶 體管的顯示器件。

9.一種薄膜晶體管，包括：

柵電極；

所述柵電極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的一對導電層，該一對導電層至少部分地重疊 于所述柵電極，并配置為在溝道長度方向上相離；

所述一對導電層上的一對緩沖層；

所述一對導電層及所述柵電極上的一對雜質半導體層，該一對雜 質半導體層添加有賦予一導電型的雜質元素，以形成源區及漏區；以 及

所述一對導電層上的非晶半導體層，該非晶半導體層接觸所述一 對導電層之間的所述柵極絕緣層的至少一部分，并配置在所述一對雜 質半導體層和所述一對導電層之間。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層的 導電率是0.9S/cm至2S/cm。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層分 別是金屬層、金屬氮化物層、金屬碳化物層、金屬硼化物層或金屬硅 化物層。

12.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層分 別是添加有作為施體的雜質的半導體層。

13.根據權利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層的 每一個中的施體濃度為5×10¹⁸atoms/cm³以上且2×10²⁰atoms/cm³以 下。

14.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述一對導電層是 微晶硅層。

15.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述非晶半導體層 是非晶硅層。

16.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述一對緩沖層是 非晶半導體層。

17.一種在像素部的各像素中設置有根據權利要求9所述的薄膜 晶體管的顯示器件。