[發(fā)明專利]由不一致的鎮(zhèn)流源極保護的高功率高溫半導體功率器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910008288.6 | 申請日： | 2009-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN101546766A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 弗蘭茨娃·赫爾伯特;安荷·叭剌 | 申請（專利權）人： | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/36;H01L21/8234;H01L21/8222;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人： | 張靜潔;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密爾*** | 國省代碼： | 百慕大群島;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 不一致 鎮(zhèn)流源極 保護 功率 高溫 半導體 器件 | ||
1.一種設置于半導體襯底上的半導體功率器件，包括：多個分布于一個 半導體功率器件上的不同區(qū)域，其依據(jù)每個不同區(qū)域的局部熱耗散具有不 同的鎮(zhèn)流電阻值，散熱越佳的區(qū)域具有越低的鎮(zhèn)流電阻值；其特征在于， 其中：
具有低鎮(zhèn)流電阻值的區(qū)域設置于遠離接合襯墊區(qū)域的外圍區(qū)域的附 近，而具有高鎮(zhèn)流電阻值的區(qū)域設置于接合襯墊區(qū)域的附近。
2.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：設置于圍 繞接合襯墊區(qū)域的區(qū)域具有鎮(zhèn)流電阻值RS3，設置于和接合線相連接的接 合襯墊下方的區(qū)域具有鎮(zhèn)流電阻值RS2，設置于遠離所述的接合襯墊區(qū)域 的區(qū)域具有鎮(zhèn)流電阻值RS1；其中，RS1＜RS2＜RS3。
3.如權利要求2所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：接合襯墊 連接接合線并從其導出熱量，同時所述的位于所述接合襯墊下的區(qū)域具有 中等的鎮(zhèn)流電阻值，其處于最高鎮(zhèn)流電阻值和最低鎮(zhèn)流電阻值之間。
4.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：半導體功 率器件具有特定的源極引線區(qū)域和與所述的特定的源極引線區(qū)域毗鄰的 區(qū)域，所述的與該特定的源極引線區(qū)域毗鄰的區(qū)域具有最高的鎮(zhèn)流電阻 值，所述的特定的源極引線區(qū)域具有中等的鎮(zhèn)流電阻值，而位于所述的特 定的源極引線區(qū)域和所述的與該特定的源極引線區(qū)域毗鄰的區(qū)域以外的 區(qū)域具有最小的鎮(zhèn)流電阻值。
5.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：所述的具 有遠離接合襯墊區(qū)域的外圍區(qū)域的半導體功率器件，該外圍區(qū)域被制造為 鎮(zhèn)流電阻為零的區(qū)域。
6.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，不同區(qū)域具有從 所述半導體功率器件的遠離接合襯墊區(qū)域的外圍區(qū)域到毗鄰源極引線位 置區(qū)域的遞增的鎮(zhèn)流電阻值。
7.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，不同區(qū)域具有源 極摻雜分布以產(chǎn)生從所述半導體功率器件的遠離接合襯墊區(qū)域的外圍區(qū) 域到毗鄰源極引線位置區(qū)域的遞增的鎮(zhèn)流電阻值。
8.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同區(qū)域 具有不同的源極摻雜分布以產(chǎn)生從所述半導體功率器件的遠離接合襯墊 區(qū)域的外圍區(qū)域到毗鄰源極引線位置區(qū)域的遞增的鎮(zhèn)流電阻值，其中，在 所述遠離接合襯墊區(qū)域的外圍區(qū)域的源極摻雜未被減少。
9.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：所述的半 導體功率器件是金屬氧化物半導體場效應晶體管。
10.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：所述的半 導體功率器件是垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管。
11.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：所述的半 導體功率器件是橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管。
12.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：所述的半 導體功率器件是絕緣柵雙極晶體管。
13.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同區(qū)域 中的鎮(zhèn)流電阻通過降低不同區(qū)域的源極摻雜濃度實現(xiàn)。
14.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同區(qū)域 中的鎮(zhèn)流電阻通過減少不同區(qū)域的源極的連接區(qū)域?qū)崿F(xiàn)。
15.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同區(qū)域 中的鎮(zhèn)流電阻通過應用輕摻雜，提供位于源極連接和柵極區(qū)域的源極邊緣 之間的一較高電阻的輕摻雜擴散。
16.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同的鎮(zhèn) 流電阻分布于不同區(qū)域，其由不同的源極摻雜濃度的鎮(zhèn)流源極區(qū)域，以及 所述的鎮(zhèn)流源極區(qū)域的不同區(qū)域特征尺寸來實現(xiàn)的。
17.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，其中：不同區(qū)域 中的鎮(zhèn)流電阻通過一位于不同區(qū)域的源極連接與源極區(qū)域之間的電阻層 來實現(xiàn)的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
