[發明專利]光半導體裝置有效
| 申請號： | 200910008169.0 | 申請日： | 2009-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN101593784A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發明（設計）人： | 石村榮太郎;中路雅晴;柳生榮治 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/075 | 分類號： | H01L31/075;H01L31/0256;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種光半導體裝置，其特征在于，
在半導體襯底上依次形成有第一導電型的分布布喇格反射層、光吸 收層和第二導電型的半導體層，
所述第一導電型的分布布喇格反射層具有：帶隙波長小于入射光的 波長并且具有第一折射率的第一半導體層；帶隙波長大于入射光的波長 并且具有比所述第一折射率高的第二折射率的第二半導體層，
所述第一半導體層的光學層厚度與所述第二半導體層的光學層厚 度之和為入射光的波長的一半，
所述第一半導體層的光學層厚度大于所述第二半導體層的光學層 厚度。
2.如權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，
所述第一半導體層的光學層厚度除以所述第二半導體層的光學層 厚度所得的值為1.2～3。
3.如權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，
在所述光吸收層與所述第二導電型的半導體層之間形成有載流子 倍增層，該載流子倍增層對在所述光吸收層中產生的光載流子進行雪崩 倍增。
4.如權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，
在所述第一導電型的分布布喇格反射層與所述光吸收層之間形成 有載流子倍增層，該載流子倍增層對在所述光吸收層中產生的光載流子 進行雪崩倍增。
5.如權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，
從所述半導體襯底的背面側射入光。
6.一種光半導體裝置，其特征在于，
在半導體襯底上依次形成有第一導電型的分布布喇格反射層、光吸 收層和第二導電型的分布布喇格反射層，
所述第一導電型的分布布喇格反射層和所述第二導電型的分布布 喇格反射層具有：帶隙波長小于入射光的波長并且具有第一折射率的第 一半導體層；帶隙波長大于入射光的波長并且具有比所述第一折射率高 的第二折射率的第二半導體層，
所述第一半導體層的光學層厚度與所述第二半導體層的光學層厚 度之和為入射光的波長的一半，
所述第一半導體層的光學層厚度大于所述第二半導體層的光學層 厚度。
7.一種光半導體裝置，其特征在于，
在半導體襯底上依次形成有第一導電型的分布布喇格反射層、活性 層和第二導電型的分布布喇格反射層，
所述第一導電型的分布布喇格反射層和所述第二導電型的分布布 喇格反射層具有：帶隙波長小于出射光的波長并且具有第一折射率的第 一半導體層；帶隙波長大于出射光的波長并且具有比所述第一折射率高 的第二折射率的第二半導體層，
所述第一半導體層的光學層厚度與所述第二半導體層的光學層厚 度之和為入射光的波長的一半，
所述第一半導體層的光學層厚度大于所述第二半導體層的光學層 厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
