[發明專利]蘭姆波型諧振子以及振蕩器

有效

• 申請號: 200910007540.1
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101534105A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 田中悟
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉;馬建軍

技術領域

本發明涉及采用了蘭姆波的蘭姆波型諧振子和具有該蘭姆波型諧振 子的振蕩器。

背景技術

所謂蘭姆波是通過將基板厚度削減至要傳播的波的數波長以下、以 使在基板內部傳播的體波反復在基板的上下表面反射而傳播的板波。與 距基板表面的深度1波長以內具有90％能量的瑞利波、泄漏聲表面波、 模擬縱波型泄漏聲表面波的表面波不同，蘭姆波是在基板內部傳播的體 波，所以能量分布于整個基板。根據非專利文獻1，板波和瑞利波在學術 上也存在區別，在非專利文獻2中示出瑞利波、泄漏聲表面波的分析方 法，在非專利文獻3中示出蘭姆波的分析方法。其中最大不同點是8次 方程式的解的選擇方法依據各個波而不同，瑞利波和蘭姆波是完全不同 的波，從而性質不同。由此，蘭姆波在與瑞利波同樣的設計條件下無法 取得良好的特性，所以需要以蘭姆波為對象的設計方法。

另外，蘭姆波的特征如專利文獻1所示的分散曲線那樣，蘭姆波可 傳播的模式是基板厚度方向的波數滿足諧振條件的模式，蘭姆波存在含 有高次的多個模式。由于存在的模式的相位速度在瑞利波以上、且還存 在多個具有“縱波”以上相位速度的模式，所以在相位速度大的模式下， 即使是與上述表面波相同的線寬也能夠容易成為高頻化。另外，通過采 用厚度為5波長以下的AT切晶體基板來優化溫度特性，從而能夠利用適 合高頻化的蘭姆波。

另外，提出了如下的蘭姆波型高頻諧振子：在結構為在壓電基板的 主面上間插有第1交叉指電極和第2交叉指電極的IDT電極中，當設第 1交叉指電極和第2交叉指電極的交叉寬度為W、蘭姆波的波長為λ時， 交叉寬度W被設定在用21λ≤W≤54λ表示的范圍內(例如，參照專利文 獻2)。

專利文獻1：日本特開2003-258596號公報

專利文獻2：日本特開2008-54163號公報

非專利文獻1：超聲波便覽，超聲波便覽編集委員會編集，丸善株 式會社出版。1999年發行第62頁～第71頁

非專利文獻2：聲波元件技術指南，學振150委編集，歐姆社(Ohmsha) 出版。1991年發行第148頁～第158頁

非專利文獻3：中川恭彥，重田光善，柴田和匡，垣尾省司著，蘭 姆波型聲波元件用基板的溫度特性，電子信息通信學會論文集C?NO.1。 第34頁～第39頁

在上述專利文獻1中記載了如下內容：采用重金屬作為電極，由此 來提高蘭姆波的反射系數，由于利用較少的反射器個數來封閉(閉じ込 め)能量，所以可使其小型化。這意味著通過抑制縱方向(蘭姆波的傳播 方向)的振動泄漏來封閉能量。但是，沒有考慮橫方向(與蘭姆波的傳播方 向垂直的方向)的能量封閉，所以很難稱之為最優電極設計。另外，在專 利文獻2中也沒有公開用于提高橫方向的能量封閉的具體方法。

另外，當從母線電極的外端部向壓電基板的橫方向外端部發生振動 泄漏時，由于來自壓電基板外端部的反射波而發生寄生。

發明內容

本發明正是為了解決上述課題的至少一部分而開發的，其可作為以 下的形態或適用例來實現。