[發明專利]發光元件、發光裝置及電子設備

無效

• 申請號: 200910007444.7
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101510586A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 瀨尾哲史;鈴木恒德
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 屠長存

1.一種發光元件，包括：

第一電極；

第二電極；以及

所述第一電極和所述第二電極之間的發光層和控制層，

其中，

所述控制層包含第一有機化合物和第二有機化合物，

所述第一有機化合物的含量大于所述第二有機化合物的含量，

所述第一有機化合物為空穴傳輸性有機化合物，

所述第二有機化合物的最高占據分子軌道能級(HOMO能級)比所述第一有機化合物的最高占據分子軌道能級(HOMO能級)高，

式(1)所示的參數X的值在1×10^-8至1×10^-2的范圍內，并且，

X=1L{exp(-ΔEkT)}C3···(1)]]>

ΔE表示所述第一有機化合物的HOMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級的能級差[eV]，C表示所述第二有機化合物的摩爾分數[無量綱]，L表示所述控制層的厚度[nm]，k表示玻爾茲曼常數(＝8.61×10^-5[eV·K^-1])，T表示溫度(＝300[K])。

2.一種發光元件，包括：

第一電極；

第二電極；以及

所述第一電極和所述第二電極之間的發光層和控制層，

其中，

所述控制層包含第一有機化合物和第二有機化合物，

所述第一有機化合物的含量大于所述第二有機化合物的含量，

所述第一有機化合物為空穴傳輸性有機化合物，

所述第二有機化合物的最高占據分子軌道能級(HOMO能級)比所述第一有機化合物的最高占據分子軌道能級(HOMO能級)高，

式(1)所示的參數X的值在1×10^-5至1×10^-3的范圍內，并且，

X=1L{exp(-ΔEkT)}C3···(1)]]>

ΔE表示所述第一有機化合物的HOMO能級和所述第二有機化合物的HOMO能級的能級差[eV]，C表示所述第二有機化合物的摩爾分數[無量綱]，L表示所述控制層的厚度[nm]，k表示玻爾茲曼常數(＝8.61×10^-5[eV.K^-1])，T表示溫度(＝300[K])。

3.根據權利要求1或2所述的發光元件，其中所述控制層的厚度L為5nm以上且20nm以下。

4.根據權利要求1或2所述的發光元件，其中所述第一有機化合物的遷移率在10^-6[cm²/Vs]至10^-2[cm²/Vs]的范圍內。