[發(fā)明專利]用于薄膜光伏的吸收層及由其制成的太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910007358.6 | 申請日: | 2009-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN101807620A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·K·拉馬塞沙;S·庫馬;M·納亞克;A·薩哈;H·N·艾耶 | 申請(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張曉冬;王忠忠 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 薄膜 吸收 制成 太陽能電池 | ||
1.一種制備用于太陽能電池的材料的方法,包括:
加熱金屬合金與源材料,所述金屬合金具有均勻的總體組成和表面組成,所述的源材料為硒或硫或其混合物,所述的加熱包括:
對所述金屬合金進(jìn)行退火以重新分布金屬合金內(nèi)的材料并生成多個層,所述的多個層包括表面層和背接觸層,其中所述的表面層在背接觸層的一側(cè);
加熱源材料以生成硒或硫或其混合物的蒸汽;
使金屬合金和硒或硫或其混合物的蒸汽相接觸從而硒化或硫化金屬合金的表面層;
其中所述多個層中的背接觸層沒有任何附加襯底。
2.如權(quán)利請求1所述的方法,其中,所述金屬合金包括IB族金屬或IIIA族金屬或其混合物中的兩種或多種。
3.?如權(quán)利請求1所述的方法,其中,退火包括,把所述金屬合金中的較低熔點金屬擴散到所述金屬合金的表面,從而導(dǎo)致所述金屬合金的所述表面中所述較低熔點金屬的原子百分比的增加。
4.?如權(quán)利請求1所述的方法,其中,接觸包括,對硒或硫或其混合物進(jìn)行加熱,以形成接觸所述金屬合金的蒸汽。
5.?如權(quán)利請求1所述的方法,包括在所述硒化的或硫化的金屬合金的表面上布置緩沖層,或者在所述硒化的或硫化的金屬合金的表面上布置前接觸層,或者其組合。
6.?如權(quán)利請求1所述的方法,包括把所述金屬合金耦合到襯底。
7.?一種制備用于太陽能電池的吸收層的方法,包括:
加熱金屬合金與源材料,所述金屬合金包括IB族金屬或IIIA族金屬或其混合物中的兩種或多種,所述金屬合金具有均勻的總體組成和表面組成;所述的源材料為硒或硫或其混合物,所述的加熱包括:
對所述金屬合金進(jìn)行退火以使得未分層的金屬合金構(gòu)成變?yōu)榫哂卸鄠€層的構(gòu)成,所述的多個層包括吸收層和背接觸層,其中所述的吸收層在背接觸層的一側(cè);
使金屬合金和硒或硫或其混合物的蒸汽相接觸從而對金屬合金的吸收層進(jìn)行處理以硒化或硫化金屬合金的表面層;
其中所述多個層中的背接觸層沒有任何附加襯底。
8.?一種用于制備太陽能電池的方法,包括:
在膛室內(nèi)采用單步來加熱金屬合金和源材料,所述金屬合金具有均勻的總體組成和表面組成,其中所述的源材料為硒或硫或其混合物,其中加熱包括:
將金屬合金內(nèi)的相對較低熔點金屬擴散到金屬合金的表面,從而生成包括表面層和背接觸層的多個層,其中所述的表面層在所述的背接觸層的一側(cè),其中所述多個層中的背接觸層沒有任何附加襯底;
使用源材料對表面層進(jìn)行處理以硒化或硫化金屬合金的表面層,從而生成處理過的表面層,所述處理過的表面層包括硒或硫中的至少一個。
9.?一種制備用于太陽能電池的金屬合金的方法,包括:
在膛室內(nèi)采用單步來加熱金屬合金和源材料,其中所述的源材料為硒或硫或其混合物,所述金屬合金包括IB族金屬或IIIA族金屬或其混合物中的兩種或多種,所述金屬合金具有均勻的總體組成和表面組成,其中加熱包括:
加熱金屬合金以生成包括表面層和背接觸層的多個層,其中所述的表面層在所述的背接觸層的一側(cè),其中所述多個層中的背接觸層沒有任何附加襯底;
使用源材料對表面層進(jìn)行處理以硒化或硫化金屬合金的表面層,從而生成處理過的表面層,所述處理過的表面層包括硒或硫中的至少一個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





