[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910007226.3
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101587892A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 樸鐘范;宋翰相;樸鐘國
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/92;H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種半導體器件，包括：

穿透第一層間絕緣層并部分突出高于所述第一層間絕緣層的第一存儲 節點接觸塞；

與突出高于所述第一層間絕緣層的所述第一存儲節點接觸塞接觸的第 二存儲節點接觸塞；

接觸所述第二存儲節點接觸塞頂表面的存儲節點；和

在所述第一層間絕緣層上形成的第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣 層包圍所述存儲節點底部區的外側壁、所述第二存儲節點接觸塞以及突出 高于所述第一層間絕緣層的第一存儲節點接觸塞。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一層間絕緣層包括氧 化物層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二層間絕緣層包括氮 化物層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一層間絕緣層包括氧 化物層，所述第二層間絕緣層包括氮化物層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二層間絕緣層的厚度 小于所述第一層間絕緣層的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一存儲節點接觸塞和 所述第二存儲節點接觸塞由相同材料形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一存儲節點接觸塞和 所述第二存儲節點接觸塞包括多晶硅層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二存儲節點接觸塞具 有其中所述第二存儲節點接觸塞覆蓋所述第一存儲節點接觸塞的預定區 域的曲折結構。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述存儲節點包括氮化鈦 (TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鉿(HfN)、釕(Ru)、氧化釕(RuO₂)、鉑 (Pt)、銥(Ir)和氧化銥(IrO₂)中的任意一種或它們的堆疊層。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述第二存儲節點接觸 塞和所述存儲節點之間的歐姆接觸層。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述歐姆接觸層包括金屬硅 化物。

12.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成穿透層間絕緣層的存儲節點接觸塞；

在所述層間絕緣層上形成隔離絕緣層；

通過選擇性地蝕刻所述隔離絕緣層來實施主蝕刻工藝以形成開口區 域，所述開口區域暴露出所述存儲節點接觸塞的頂表面；

通過在所述開口區域底部處蝕刻掉預定厚度的所述存儲節點接觸塞來 實施過蝕刻工藝，以擴展所述開口區域；

在所述開口區域中形成存儲節點；和

移除所述隔離絕緣層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述存儲節點接觸塞包括：

形成包括第一存儲節點接觸塞的第一層間絕緣層；

使所述第一層間絕緣層凹陷，以使得所述第一存儲節點接觸塞部分突 出高于所述第一層間絕緣層；

形成第二層間絕緣層，以覆蓋突出高于所述第一層間絕緣層的所述第 一存儲節點接觸塞；

通過選擇性地蝕刻所述第二層間絕緣層形成接觸孔，以部分暴露出所 述第一存儲節點接觸塞；和

通過利用導電層填充所述接觸孔形成第二存儲節點接觸塞。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一層間絕緣層和所述隔離絕 緣層包括氧化物層。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述第二層間絕緣層包括氮化物 層。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一層間絕緣層和所述隔離絕 緣層包括氧化物層，所述第二層間絕緣層包括氮化物層。

17.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述第二層間絕緣層的厚度 小于所述第一層間絕緣層的厚度。